[發(fā)明專利]一種LDMOS的等效電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110421649.7
• 申請(qǐng)日: 2011-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN102497185A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜艷;胡林輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/687
• 分類號(hào): H03K17/687
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長(zhǎng)明;王寶筠

1.一種LDMOS等效電路，其特征在于，包括：

可變電容的第一端連接場(chǎng)效應(yīng)管的柵極，可變電容的第二端連接場(chǎng)效應(yīng)管的漏極；場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與可變電容第一端的連接點(diǎn)作為L(zhǎng)DMOS等效電路的柵極，場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與可變電容第二端的連接點(diǎn)連接LDMOS等效電路的漏極，場(chǎng)效應(yīng)管的源極作為L(zhǎng)DMOS等效電路的源極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS等效電路，其特征在于，場(chǎng)效應(yīng)管的漏極與可變電容第二端的連接點(diǎn)，該連接點(diǎn)與LDMOS等效電路的漏極之間串接電阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LDMOS等效電路，其特征在于，所述電阻的電學(xué)模型為：

Rd＝rd0*(1+pvc*abs(v(d，di)))*(1+pvb*abs(v(d，di)))/((w+wa)*1e6)*(1+ptc*dtemp)；

其中，rd0表示LDMOS漏極在溫度為27℃下單位寬度電阻；pvc表示LDMOS漏極電阻的漏源電壓系數(shù)；pvb表示LDMOS漏極電阻的襯偏電壓系數(shù)；wa表示窄溝調(diào)節(jié)參數(shù)；ptc表示LDMOS漏端電阻溫度系數(shù)；w表示LDMOS的溝道寬度；v(d，di)表示電阻兩端的電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的LDMOS等效電路，其特征在于，還包括：

LDMOS等效電路的漏極連接第一二極管的陰極，第一二極管的陽極接地。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的LDMOS等效電路，其特征在于，場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接第二二極管的陰極，第二二極管的陽極連接場(chǎng)效應(yīng)管的源極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的LDMOS等效電路，其特征在于，所述可變電容的電學(xué)模型為：

可變電容Cgd＝(c0/(pwr((1-(min(0，v(s，d)))/vj)，mj)))*w

其中，c0表示LDMOS等效電路所對(duì)應(yīng)LDMOS的漏極和源極間電壓差為0時(shí)，柵極到漏極單位寬度的交疊電容；vj表示LDMOS的內(nèi)建電勢(shì)；mj表示電容指數(shù)系數(shù)；v(s，d)表示LDMOS的源極和漏極之間的電壓；w表示LDMOS的溝道寬度；pwr是冪指數(shù)函數(shù)。