[發明專利]一種用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液及蝕刻方法

有效

• 申請號: 201110421439.8
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN103160909A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 宮清;林宏業;連俊蘭;高鄉明;劉青松
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: C25F3/08
• 分類號: C25F3/08
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述電蝕刻液含有5～15wt％的拋光劑，5～15wt％的蝕刻劑以及0.7～7wt％的緩蝕劑。

2.根據權利要求1所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述拋光劑為油酸。

3.根據權利要求1所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述蝕刻劑為氯化鹽。

4.根據權利要求3所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述非晶合金材料件為鋯基非晶合金材料件，所述蝕刻劑為氯化鋯。

5.根據權利要求3或4所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述緩蝕劑為羧酸鹽和有機膦酸鹽，其中所述電蝕刻液含有0.5～5wt％的羧酸鹽和0.2～2wt％的有機膦酸鹽。

6.根據權利要求5所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述羧酸鹽為選自甲酸鈉、乙酸鈉、苯甲酸鈉、硬脂酸鈉、月桂酸鈉、二甲苯磺酸鈉中的一種或多種。

7.根據權利要求5所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述羧酸鹽為硬脂酸鈉和/或月桂酸鈉。

8.根據權利要求5所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述有機膦酸鹽為選自氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸鈉、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸中的一種或多種。

9.根據權利要求5所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述有機膦酸鹽為乙二胺四甲叉膦酸鈉。

10.一種非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，包括以下步驟：

a)在所述非晶合金材料件表面設置掩模；

b)使用化學蝕刻液對表面設置有掩模的非晶合金材料件進行化學蝕刻；

c)使用電蝕刻液對化學蝕刻后的非晶合金材料件進行電蝕刻，其中所述電蝕刻液含有5～15wt％的拋光劑，5～15wt％的蝕刻劑以及0.7～7wt％的緩蝕劑；以及

d)除去電蝕刻后的非晶合金材料件表面的掩模，得到帶有蝕刻圖案的非晶合金材料件。

11.根據權利要求10所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述非晶合金材料件為鋯基非晶合金材料件，所述化學蝕刻液含有10～30wt％鹽酸、10～30wt％硝酸鐵、02～2wt％三聚磷酸鹽及0.2％～2wt％苯并三唑或苯并三唑衍生物。

12.根據權利要求10所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，在所述步驟c)中，使所述非晶合金材料件的設置有所述掩模的表面與所述電蝕刻液接觸且以所述非晶合金材料件為正極，以不銹鋼、鉛板或石墨板為負極，在所述正極和負極之間施加8～20V直流電壓及0.5A～2A/dm電流以便進行電蝕刻。

13.根據權利要求12所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述電蝕刻在常溫下進行，所述電蝕刻的時間為3～20分鐘。

14.根據權利要求10至12中任一項所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述拋光劑為油酸。

15.根據權利要求10至12中任一項所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻劑為氯化鹽。

16.根據權利要求15所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述非晶合金材料件為鋯基非晶合金材料件，所述蝕刻劑為氯化鋯。

17.根據權利要求15所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述緩蝕劑為羧酸鹽和有機膦酸鹽，其中所述電蝕刻液含有0.5～5wt％的羧酸鹽和0.2～2wt％的有機膦酸鹽。

18.根據權利要求17所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述羧酸鹽為選自甲酸鈉、乙酸鈉、苯甲酸鈉、硬脂酸鈉、月桂酸鈉、二甲苯磺酸鈉中的一種或多種。

19.根據權利要求17所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述羧酸鹽為硬脂酸鈉、月桂酸鈉或其組合。