[發明專利]基于導電奈米溝道板的靜態隨機存取內存單元

有效

• 申請號: 201110421278.2
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN102623410A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: D·丘馬科夫;W·布赫霍爾茨;P·黑策
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244;H01L21/28;H01L27/11
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種方法，包含：

形成通過第一層間介電質的源極接觸；

在該第一層間介電質上形成導電本體；

在該導電本體上形成第二層間介電質；

形成通過該第二層間介電質、導電本體、和第一層間介電質的漏極和柵極接觸；

在該導電本體中形成奈米溝道；

在該溝道中形成絕緣層；以及

金屬化該溝道。

2.如權利要求1所述的方法，復包含形成該漏極和柵極接觸的下列步驟：

形成通過該第二層間介電質和導電本體的第一開口；

在該第一開口中形成絕緣襯墊；

形成通過該第一層間介電質的第二開口；以及

以金屬填充該第一和第二開口。

3.如權利要求2所述的方法，包含形成該第一開口的下列步驟：

在該第二層間介電質上形成掩膜；以及

通過該掩膜蝕刻該第二層間介電質和導電本體。

4.如權利要求2所述的方法，包含形成硅氧化物或高介電系數氧化物的該絕緣襯墊。

5.如權利要求4所述的方法，包含形成該絕緣襯墊至小于5奈米的厚度。

6.如權利要求3所述的方法，包含形成該第一層間介電質的材料對該導電本體有蝕刻選擇性。

7.如權利要求6所述的方法，包含：

形成摻雜多晶硅的該導電本體；以及

形成氮化硅的該第一層間介電質。

8.如權利要求1所述的方法，包含形成該奈米溝道的下列步驟：

形成通過該第二層間介電質的開口；以及

在該導電本體中形成開口。

9.如權利要求8所述的方法，包含形成該開口的下列步驟：

在該第二層間介電質上形成奈米圖案化掩膜；

通過該奈米圖案化掩膜蝕刻該第二層間介電質；

通過該奈米圖案化掩膜部分地蝕刻該導電本體；以及

移除該奈米圖案化掩膜。

10.如權利要求9所述的方法，包含蝕刻該導電本體至該導電本體的厚度的80％至90％的深度。

11.如權利要求9所述的方法，包含形成具有特征的該奈米圖案化掩膜，該特征有50奈米至100奈米的間距。

12.如權利要求1所述的方法，復包含形成高介電系數材料的該絕緣層。

13.一種裝置，包含：

層間介電質；

導電本體具有數個奈米溝道，各個奈米溝道包含：

絕緣層，設置于該奈米溝道中；以及

金屬，填充該奈米溝道中的剩余空間；

源極接觸，通過該層間介電質而電性連接至該導電本體；

柵極接觸，通過并電性絕緣于該導電本體；以及

漏極接觸，通過并電性絕緣于該導電本體。

14.如權利要求13所述的裝置，復包含絕緣襯墊，介于該柵極和漏極接觸與該導電本體之間，以將該等接觸電性絕緣于該導電本體。

15.如權利要求14所述的裝置，其中，該絕緣襯墊包含硅氧化物或高介電系數氧化物。

16.如權利要求13所述的裝置，其中，該奈米溝道的間距為50奈米至100奈米。

17.如權利要求13所述的裝置，復包含在該金屬上、填充該奈米溝道的第二層間介電質。

18.如權利要求13所述的裝置，復包含晶體管，在該第一層間介電質下方、并電性連接至該源極、柵極、和漏極接觸。

19.一種方法，包含：

在至少一個晶體管上形成第一層間介電質；

針對各個晶體管形成通過該第一層間介電質的源極接觸；

在該第一層間介電質上形成摻雜多晶硅的導電本體；

在該導電本體上形成第二層間介電質；

針對各個晶體管形成通過該第二層間介電質、導電本體、和第一層間介電質的漏極接觸和柵極接觸，并以硅氧化物或高介電系數氧化物襯墊將該漏極和柵極接觸電性絕緣于該導電本體；

在該導電本體中形成奈米溝道；

在該奈米溝道中沉積絕緣層；以及

金屬化該溝道。

20.如權利要求19所述的方法，包含形成該奈米溝道的下列步驟：

在該第二層間介電質上形成具有特征的掩膜，該特征有50奈米至100奈米的間距；

通過該掩膜蝕刻該第二層間介電質；

通過該掩膜蝕刻該導電本體至該導電本體的厚度的80％至90％的深度；以及

移除該掩膜。