[發(fā)明專利]光耦合模塊及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110420852.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103163600A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李秉衡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B6/42 | 分類號(hào): | G02B6/42;G02B6/255;G02B6/24 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 耦合 模塊 及其 制備 方法 | ||
1.一種光耦合模塊,包括襯底、光波導(dǎo)、電路基板及光學(xué)模組,該光波導(dǎo)裝設(shè)于該襯底及該電路基板之間,該光波導(dǎo)包括芯層及包層,該芯層具有耦光面,該包層包覆該芯層且露出該耦光面,該電路基板上貫通開設(shè)有與該耦光面相應(yīng)的透光孔,該光學(xué)模組設(shè)置于該透光孔上,并通過該透光孔與該耦光面進(jìn)行光耦合,其特征在于:該耦光面呈凸鏡狀,該耦光面能夠?qū)⑷肷渲猎撔緦拥墓庥嵦?hào)聚集進(jìn)行傳輸,也能夠?qū)脑撔緦拥某錾涞墓庥嵦?hào)聚集進(jìn)行傳輸。
2.如權(quán)利要求1所述的光耦合模塊,其特征在于:該耦光面呈半球面狀。
3.如權(quán)利要求1所述的光耦合模塊,其特征在于:該芯層包括主體及分別形成于該主體兩端的兩個(gè)傳輸端,該傳輸端背離該襯底延伸彎折,該耦光面的數(shù)量為二,該兩個(gè)耦光面分別設(shè)置于該兩個(gè)傳輸端遠(yuǎn)離該主體的末端面上。
4.如權(quán)利要求3所述的光耦合模塊,其特征在于:該電路基板上間隔開設(shè)有兩個(gè)透光孔,該光學(xué)模組包括分別設(shè)置于該兩個(gè)透光孔上的發(fā)光元件及受光元件,以分別與兩個(gè)耦光面進(jìn)行耦光。
5.如權(quán)利要求3所述的光耦合模塊,其特征在于:該主體包括底壁、頂壁及兩個(gè)反射壁,該底壁鄰近該襯底設(shè)置,該頂壁與該底壁平行設(shè)置,該反射壁連接該底壁與頂壁,該兩個(gè)傳輸端分別形成于該頂壁兩端。
6.如權(quán)利要求5所述的光耦合模塊,其特征在于:該反射壁與該底壁間的夾角等于135度。
7.一種光耦合模塊的制備方法,包括以下步驟:
提供一襯底;
提供包層材料,加熱包層材料至熔融狀態(tài),將該熔融狀態(tài)的包層材料涂布于該襯底上,以形成第一包層預(yù)型體;
提供第一滾輪,該第一滾輪包括第一滾壓面,第一滾壓面開設(shè)若干第一壓槽;
采用第一滾輪壓制該第一包層預(yù)型體,形成第一包層,該第一包層上形成與該第一壓槽相對(duì)應(yīng)的收容空間;
提供芯層材料,加熱該芯層材料至熔融狀態(tài),將熔融狀態(tài)的芯層材料涂布于該收容空間,以形成芯層預(yù)型體;
提供第二滾輪,該第二滾輪包括第二滾壓面,該第二滾壓面上開設(shè)有若干第二壓槽,該第二壓槽包括本部及相對(duì)設(shè)置于本部兩端的兩個(gè)連接部,該連接部遠(yuǎn)離該本部的一端截面呈凸鏡狀;
采用該第二滾輪壓制該芯層預(yù)型體的,以形成一個(gè)具有呈凸鏡狀耦光面的芯層;
將熔融狀態(tài)的包層材料涂布于該芯層及該第一包層上,且露出該耦光面,以形成第二包層預(yù)型體;
提供第三滾輪,該第三滾輪具有第三滾壓面;
采用該第三滾輪壓制該第二包層預(yù)型體,從而制得光波導(dǎo);
提供一個(gè)貫通開設(shè)有透光孔的電路基板,將該電路基板裝設(shè)于該光波導(dǎo)上,該透光孔相對(duì)該耦光面;
提供或制備一個(gè)光學(xué)模組,將該光學(xué)模組裝設(shè)于該透光孔上方,從而制得光耦合模塊。
8.如權(quán)利要求7所述光耦合模塊的制備方法,其特征在于:該連接部遠(yuǎn)離該本部的一端截面呈半圓形,該耦光面呈半球面狀。
9.如權(quán)利要求8所述光耦合模塊的制備方法,其特征在于:該收容空間的底壁與側(cè)壁間的夾角為135度。
10.如權(quán)利要求7所述光耦合模塊的制備方法,其特征在于:該芯層包括主體及分別形成于該主體兩端的兩個(gè)傳輸端,該傳輸端背離該襯底延伸彎折,該耦光面的數(shù)量為兩個(gè),該兩個(gè)耦光面分別設(shè)置于該兩個(gè)傳輸端遠(yuǎn)離該主體的末端面上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司,未經(jīng)鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110420852.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





