[發(fā)明專利]用于多重圖案化技術(shù)的單元布局有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110419100.4 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102542099A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳皇宇;侯元德;謝艮軒;劉如淦;魯立忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G06F17/50 | 分類(lèi)號(hào): | G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務(wù)所 11306 | 代理人: | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 多重 圖案 技術(shù) 單元 布局 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域,更具體地,涉及用于多重圖案化技術(shù)的單元布局。
背景技術(shù)
在光刻系統(tǒng)中,為了獲得良好、高密度、高分辨率的圖案,需要達(dá)到高分辨率。在集成電路(IC)工業(yè)中應(yīng)用的光刻系統(tǒng)中,為了將電子器件圖案化,要將光投射到光刻膠上。光刻系統(tǒng)的分辨率的顯著改變對(duì)于高密度和高速度半導(dǎo)體IC芯片來(lái)說(shuō)的制造來(lái)說(shuō)是最重要的推動(dòng)因素之一。
通常,除了其他方面之外,光刻系統(tǒng)的分辨率取決于光的波長(zhǎng)。波長(zhǎng)從汞G-線(436nm)逐漸降低到ArF準(zhǔn)分子激光器線(193nm),并且進(jìn)一步降低到157nm,并且可能降低到超紫外線輻射(EUV)波長(zhǎng)中。諸如相移掩模、離軸照明、浸入式光刻等等的其他技術(shù)進(jìn)一步導(dǎo)致了波長(zhǎng)的降低。然而,這些分辨率的改進(jìn)技術(shù)會(huì)受到物理上的和技術(shù)上的限制。
為了推動(dòng)光刻限制進(jìn)一步形成甚至更小的、封裝得更密集的器件,需要發(fā)展出多重圖案化技術(shù)(MPT)技術(shù)。多重圖案化技術(shù)將布局圖案分解為子圖案,然后使用兩個(gè)或者多個(gè)掩模印刷每個(gè)子圖案。然而,對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)人員和布置EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)工具來(lái)說(shuō),這些子圖案之間的相互影響可能會(huì)產(chǎn)生單元鄰接問(wèn)題。例如,當(dāng)兩個(gè)子圖案在沿著單元邊界的位置上有部分對(duì)象分配到同一掩模時(shí),可能會(huì)產(chǎn)生單元鄰接問(wèn)題,從而,當(dāng)單元相互鄰近設(shè)置時(shí),該部分對(duì)象相互之間靠得太近而難以通過(guò)單個(gè)掩模將該部分對(duì)象充分限定。
之前對(duì)于減輕或者解決多重圖案化技術(shù)的單元鄰接問(wèn)題的嘗試包括將較大緩沖區(qū)域包含在標(biāo)準(zhǔn)單元邊界中,或者將單元鄰接限制件強(qiáng)加到布置工具。在標(biāo)準(zhǔn)單元邊界內(nèi)插入較大的緩沖區(qū)可能會(huì)導(dǎo)致面積損失(area?penalty),而在布置工具中施加復(fù)雜的單元鄰接限制件可能會(huì)導(dǎo)致質(zhì)量降低,比如使得時(shí)序優(yōu)化無(wú)效和使用率(面積損失)較低。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種方法,包括:將布置區(qū)域中的多個(gè)區(qū)域標(biāo)記為第一區(qū)域或者第二區(qū)域,布置區(qū)域具有多個(gè)單元;分析單元的子圖案的類(lèi)型,通過(guò)第一掩模和第二掩模限定子圖案;將第一區(qū)域與第一掩模相關(guān)聯(lián),將第二區(qū)域與第二掩模相關(guān)聯(lián);以及判斷單元的邊界區(qū)域是否包含通過(guò)與邊界區(qū)域不相關(guān)聯(lián)的掩模限定出的圖案,相鄰單元的邊界區(qū)域是相交替的。
其中,標(biāo)記包括:將一個(gè)或者多個(gè)區(qū)域標(biāo)記為第三區(qū)域。
其中,第一區(qū)域的寬度和第二區(qū)域的寬度取決于聚合物間距。
其中,分配給第一區(qū)域和第二區(qū)域不同的顏色。
該方法進(jìn)一步包括:當(dāng)判斷出邊界區(qū)域包含有通過(guò)與邊界區(qū)域不相關(guān)聯(lián)的掩模限定出的圖案,則修改單元的子圖案。
其中,修改包括修改掩模。
其中,任何一個(gè)單元均可具有與相同掩模相關(guān)聯(lián)的相鄰區(qū)域。
此外,本發(fā)明還提供了一種方法,包括:接收多個(gè)單元定義,每個(gè)單元定義均包括邊界區(qū)域的標(biāo)記,每個(gè)邊界區(qū)域標(biāo)記了多個(gè)掩模中的一個(gè),每個(gè)單元定義均進(jìn)一步包括單元布局;以及將第一單元置于鄰近第二單元的位置,從而使得第一單元的邊界區(qū)域的類(lèi)型與第二單元的邊界區(qū)域的類(lèi)型不同。
其中,邊界區(qū)域的寬度基于聚合物間距。
其中,將特有的區(qū)域標(biāo)識(shí)分配給多個(gè)掩模中的一個(gè)。
其中,特有的區(qū)域標(biāo)識(shí)是顏色。
其中,邊界區(qū)域包括第一邊界區(qū)域,并且進(jìn)一步包括判斷第一邊界區(qū)域是否包含有與第一邊界區(qū)域不相關(guān)聯(lián)的掩模。
其中,當(dāng)確定出第一邊界區(qū)域包含有與第一邊界區(qū)域不相關(guān)聯(lián)的掩模時(shí),修改單元布局。
其中,修改包括修改掩模。
其中,修改包括增大單元的尺寸。
其中,第一單元與相鄰單元類(lèi)型相同。
此外,本發(fā)明提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品具有其上嵌入有計(jì)算機(jī)程序的非瞬時(shí)性、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),計(jì)算機(jī)程序包括:用于接收布置區(qū)域的計(jì)算機(jī)程序代碼,布置區(qū)域具有多個(gè)單元;用于標(biāo)記布置區(qū)域中的多個(gè)區(qū)域的計(jì)算機(jī)程序代碼,多個(gè)區(qū)域被分為多種區(qū)域類(lèi)型;用于標(biāo)記其中設(shè)置有區(qū)域單元圖案的計(jì)算機(jī)程序代碼;以及用于將單元圖案置于布置區(qū)域中從而使得相鄰元件的邊界區(qū)域不同的計(jì)算機(jī)程序代碼。
其中,區(qū)域的類(lèi)型被可視地標(biāo)記在顯示器上。
其中,區(qū)域的類(lèi)型通過(guò)不同顏色被可視地標(biāo)記出。
其中,第一單元圖案包括類(lèi)型相同的相鄰區(qū)域。
附圖說(shuō)明
為了全面理解本公開(kāi)及其優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)在結(jié)合附圖進(jìn)行以下描述作為參考,其中:
圖1-圖4示出了根據(jù)實(shí)施例的單元布局工藝的步驟;
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G06F 電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理
G06F17-00 特別適用于特定功能的數(shù)字計(jì)算設(shè)備或數(shù)據(jù)處理設(shè)備或數(shù)據(jù)處理方法
G06F17-10 .復(fù)雜數(shù)學(xué)運(yùn)算的
G06F17-20 .處理自然語(yǔ)言數(shù)據(jù)的
G06F17-30 .信息檢索;及其數(shù)據(jù)庫(kù)結(jié)構(gòu)
G06F17-40 .數(shù)據(jù)的獲取和記錄
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