[發(fā)明專利]一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線的修復(fù)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110419048.2 | 申請日: | 2011-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN102509720A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張婷婷;邱勇;黃秀頎;高孝裕 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 金碎平 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有源 矩陣 有機(jī) 發(fā)光 顯示器 陣列 數(shù)據(jù)線 修復(fù) 方法 | ||
1.一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線的修復(fù)方法,所述基板像素電路包括:
多條絕緣交叉的掃描線(2)和數(shù)據(jù)線(1),所述掃描線(2)和數(shù)據(jù)線(1)分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極(7),所述掃描線(2)和數(shù)據(jù)線(1)交叉處設(shè)置有開關(guān)薄膜晶體管(5)、驅(qū)動薄膜晶體管(6)和有機(jī)發(fā)光二極管;
多條VDD線(4),沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸,所述VDD線(4)和驅(qū)動薄膜晶體管(6)的漏極相連,并通過存儲電容(3)和驅(qū)動薄膜晶體管(6)的柵極相連;
所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極和驅(qū)動薄膜晶體管(6)的源極相連,其陰極和VSS線相連;
其特征在于,所述數(shù)據(jù)線(1)和像素電極(7)部分交疊,所述修補(bǔ)方法包括如下步驟:
a)?確定數(shù)據(jù)線斷線的位置;
b)?將數(shù)據(jù)斷線位置的像素驅(qū)動薄膜晶體管(6)失效;
c)?將數(shù)據(jù)斷線兩端與該像素電極熔接,讓像素電極作為轉(zhuǎn)接線修復(fù)該數(shù)據(jù)斷線。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線的修復(fù)方法,其特征在于,所述步驟b)采用激光切割方法從顯示器陣列基板的一側(cè)將所述不良像素點(diǎn)的驅(qū)動薄膜晶體管(6)的柵極斷開,使所述不良像素點(diǎn)的驅(qū)動薄膜晶體管(6)失效。
3.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線的修復(fù)方法,其特征在于,所述步驟c)采用激光熔接方法將數(shù)據(jù)線斷線兩端與該像素電極熔接在一起。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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