[發(fā)明專(zhuān)利]一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線的修復(fù)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110419048.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102509720A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張婷婷;邱勇;黃秀頎;高孝裕 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/77 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/77;H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海申匯專(zhuān)利代理有限公司 31001 | 代理人: | 金碎平 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有源 矩陣 有機(jī) 發(fā)光 顯示器 陣列 數(shù)據(jù)線 修復(fù) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種陣列基板數(shù)據(jù)線修復(fù)方法,尤其涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線的修復(fù)方法。
背景技術(shù)
有機(jī)發(fā)光顯示器件(OLED)是主動(dòng)發(fā)光器件。相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT?-LCD?)?,?OLED?具有高對(duì)比度,廣視角,低功耗,體積更薄等優(yōu)點(diǎn),有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù),是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。
在AMOLED制備過(guò)程中,AMOLED顯示器的像素點(diǎn)不良和信號(hào)線斷線不良是制備工藝中不可避免出現(xiàn)的兩類(lèi)主要缺陷,而且這兩類(lèi)缺陷大部分集中在陣列工藝末端以后,當(dāng)檢測(cè)出上述不良時(shí),就需要進(jìn)行相應(yīng)的修復(fù)。對(duì)于封裝之后出現(xiàn)的數(shù)據(jù)線斷線不良,現(xiàn)有技術(shù)未給出切實(shí)可行的方案。因此,有必要提供有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線修復(fù)方法,提高產(chǎn)品良率,且操作簡(jiǎn)單,易于實(shí)施。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線修復(fù)方法,能夠修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線,提高產(chǎn)品良率,且操作簡(jiǎn)單,易于實(shí)施。
本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題而采用的技術(shù)方案是提供一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線修復(fù)方法,所述基板像素電路包括多條絕緣交叉的掃描線和數(shù)據(jù)線,所述掃描線和數(shù)據(jù)線分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極,所述掃描線和數(shù)據(jù)線交叉處設(shè)置有開(kāi)關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管;多條VDD線,沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸,所述VDD線和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極相連,并通過(guò)存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極相連;所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極相連,其陰極和VSS線相連;所述數(shù)據(jù)線和像素電極部分交疊;所述修補(bǔ)方法包括如下步驟:a)?確定數(shù)據(jù)線斷線的位置;b)?將數(shù)據(jù)斷線位置的像素驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管失效;c)?將數(shù)據(jù)斷線兩端與該像素電極熔接,讓像素電極作為轉(zhuǎn)接線修復(fù)該數(shù)據(jù)斷線。
上述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線的修復(fù)方法,其中,所述步驟b)采用激光切割方法從顯示器陣列基板的一側(cè)將所述不良像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極斷開(kāi),使所述不良像素點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管失效。
上述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線的修復(fù)方法,其中,所述步驟c)?采用激光熔接方法將數(shù)據(jù)線斷線兩端與該像素電極熔接在一起。
本發(fā)明對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果:本發(fā)明提供的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器陣列基板數(shù)據(jù)線的修復(fù)方法,通過(guò)先將數(shù)據(jù)斷線位置的像素驅(qū)動(dòng)TFT?失效,然后將數(shù)據(jù)線斷線兩端與該像素電極熔接在一起,從而讓像素電極作為轉(zhuǎn)接線修復(fù)該數(shù)據(jù)斷線。
附圖說(shuō)明
圖1為一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)等效電路圖;
圖3為本發(fā)明的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明數(shù)據(jù)斷線的修補(bǔ)流程示意圖;
圖5為本發(fā)明實(shí)施例中使斷線所在位置像素驅(qū)動(dòng)TFT失效的示意圖;
圖6為本發(fā)明熔接像素電極和數(shù)據(jù)斷線兩端使數(shù)據(jù)線修復(fù)的示意圖。
圖中:
1?數(shù)據(jù)線?????????????2?掃描線??????????????3?存儲(chǔ)電容
4?VDD線??????????????5?開(kāi)關(guān)薄膜晶體管???????6?驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管
7?像素電極????????????9?切割點(diǎn)??????????????10?第一焊接點(diǎn)
11?第二焊接點(diǎn)。
?
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
圖3為本發(fā)明的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖。
請(qǐng)參見(jiàn)圖3,本發(fā)明使用的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器的像素電路包括:多條絕緣交叉的掃描線2和數(shù)據(jù)線1,掃描線2和數(shù)據(jù)線1分隔區(qū)域內(nèi)形成有像素電極7,掃描線2和數(shù)據(jù)線1交叉處設(shè)置有開(kāi)關(guān)薄膜晶體管5、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6和有機(jī)發(fā)光二極管;多條VDD線4,沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸,VDD線4和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6的漏極相連,并通過(guò)存儲(chǔ)電容3和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6的柵極相連;所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管6的源極相連,其陰極和相連VSS線相連;數(shù)據(jù)線1和像素電極7部分交疊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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