[發(fā)明專(zhuān)利]具有節(jié)省空間的電容的集成電路及制作該集成電路的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110418421.2
• 申請(qǐng)日: 2011-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102629550A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·丘馬科夫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02;H01L27/08
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種用于制作具有節(jié)省空間的電容的集成電路的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上上覆導(dǎo)電特征形成介電層；

在該介電層內(nèi)形成通孔開(kāi)口以暴露部份該導(dǎo)電特征；

在該介電層內(nèi)蝕入局部開(kāi)口和位于該導(dǎo)電特征上；

上覆該介電層及該局部開(kāi)口內(nèi)沉積抗蝕顆粒；

使用該抗蝕顆粒作為蝕刻掩膜進(jìn)一步該蝕刻該介電層，以擴(kuò)大局部開(kāi)口；

上覆該擴(kuò)大的局部開(kāi)口和電接觸該導(dǎo)電特征形成第一導(dǎo)電層；

上覆該第一導(dǎo)電層形成電容絕緣層；以及

上覆該絕緣層形成第二導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在該介電層內(nèi)形成通孔開(kāi)口包括：

在第一光阻層中形成和圖案化開(kāi)口；以及

蝕刻該通孔開(kāi)口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在該形成通孔開(kāi)口后和蝕刻局部開(kāi)口前進(jìn)一步包括：

上覆該介電層形成有機(jī)平坦化層(OPL)包括填充該通孔開(kāi)口；

在該有機(jī)平坦化層(OPL)上形成第二光阻層；以及

在該第二光阻層和OPL層中形成和圖案化第二開(kāi)口。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積抗蝕顆粒包括沉積選自由多孔聚合物，有機(jī)或無(wú)機(jī)顆粒及其組合所組成的群組中的抗蝕顆粒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積抗蝕顆粒包括沉積抗蝕顆粒以分布該抗蝕顆粒上覆該介電層和該局部開(kāi)口中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中進(jìn)一步蝕刻包括進(jìn)一步蝕刻理想的或混亂的蝕刻圖案于該介電層中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成第一導(dǎo)電層包括形成金屬襯墊。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成第一導(dǎo)電層包括形成具有該擴(kuò)大局部開(kāi)口和通孔開(kāi)口的不規(guī)則表面面積的下電容電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中上覆該絕緣層形成第二導(dǎo)電層包括形成金屬層上覆該絕緣層，其包括以金屬填充材料填充該擴(kuò)大局部開(kāi)口。

10.一種用于制作具有節(jié)省空間的電容的集成電路的方法包括：

在半導(dǎo)體襯底上上覆導(dǎo)電特征形成介電層；

在該介電層內(nèi)形成通孔開(kāi)口，以暴露部份該導(dǎo)電特征；

以有機(jī)平坦化層(OPL)材料填充該通孔開(kāi)口；

蝕刻該介電層以形成位于該導(dǎo)電特征上的局部開(kāi)口；

在該局部開(kāi)口內(nèi)的該介電層上沉積抗蝕顆粒；

在該抗蝕顆粒周?chē)M(jìn)一步蝕刻該介電層以擴(kuò)大該局部開(kāi)口形成擴(kuò)大的局部開(kāi)口；

移除該通孔開(kāi)口內(nèi)的該抗蝕顆粒和該OPL材料；

在該通孔開(kāi)口和該擴(kuò)大的局部開(kāi)口內(nèi)形成包括金屬襯墊的下電容電極；

上覆該金屬襯墊形成電容絕緣層；以及

形成上電容電極，包括以金屬填充材料填充該通孔開(kāi)口和該擴(kuò)大的局部開(kāi)口。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在該介電層內(nèi)形成通孔開(kāi)口包括：

在第一光阻層中形成和圖案化開(kāi)口；以及

蝕刻該通孔開(kāi)口。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，在填充該通孔開(kāi)口后和蝕刻該介電層前進(jìn)一步包括：

在該有機(jī)平坦化層(OPL)材料上形成第二光阻層；以及

在該第二光阻層和OPL層中形成和圖案化第二開(kāi)口，該局部開(kāi)口擴(kuò)大該第二開(kāi)口。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，蝕刻該介電層以形成局部開(kāi)口包括蝕刻以形成局部開(kāi)口橫向該通孔開(kāi)口。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，沉積抗蝕顆粒包括從選自多孔聚合物，有機(jī)或無(wú)機(jī)顆粒及其組合的群組中沉積抗蝕顆粒。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，沉積抗蝕顆粒包括選自鉑金，黃金，碳及其組合組成的群組中沉積抗蝕無(wú)機(jī)顆粒。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，沉積抗蝕顆粒包括沉積具有約20％至60％的區(qū)域覆蓋的抗蝕顆粒。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中進(jìn)一步蝕刻包括進(jìn)一步蝕刻理想的或混亂的蝕刻圖案于該介電層中。

18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成下電容電極包括形成具有該擴(kuò)大局部開(kāi)口和通孔開(kāi)口的不規(guī)則表面面積的該下電容電極。