[發(fā)明專(zhuān)利]蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110417068.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103160775A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 敖偉;邱勇;陳紅;黃秀頎;何麟 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/04 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/04 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔;黃曉明 |
| 地址: | 215300 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蒸鍍掩膜板 對(duì)位 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于有機(jī)蒸鍍工藝中的蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng)。
背景技術(shù)
過(guò)去,用作顯示設(shè)備的主要是陰極射線(xiàn)管(CRT)設(shè)備,近幾年,諸如等離子顯示面板(PDP)設(shè)備、液晶顯示(LCD)設(shè)備和有機(jī)電致發(fā)光顯示(Organic?Light?Emitting?Display,以下簡(jiǎn)稱(chēng)OLED)設(shè)備的平板顯示設(shè)備得到了廣泛研究和使用。
在這些平板顯示設(shè)備中,由于OLED設(shè)備與液晶顯示(LCD)設(shè)備不同,為自發(fā)光的且不需要額外光源,所以O(shè)LED設(shè)備具有厚度薄,重量輕,響應(yīng)速度快,視角廣、色彩飽和度高等優(yōu)點(diǎn)并引起了人們廣泛關(guān)注,越來(lái)越多的OLED被應(yīng)用于顯示和照明領(lǐng)域。
OLED設(shè)備可以分為無(wú)源矩陣型OLED(PMOLED)和有源矩陣型OLED(AMOLED),無(wú)論是那種方式,都需要使用蒸鍍掩膜板(shadow?mask)。伴隨著超高分辨率的屏幕出現(xiàn),蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng)精度就要求更高,對(duì)位系統(tǒng)的精度直接影響到屏幕質(zhì)量,提高對(duì)位系統(tǒng)的速度可以縮短產(chǎn)品的出貨時(shí)間。
現(xiàn)有的蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng)中,都有兩個(gè)圖形:基板上一個(gè)圖形,掩膜板上一個(gè)圖形。將二者完全中心吻合就證明對(duì)位完成,但是這樣會(huì)出現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題,新的掩膜板到貨后需要進(jìn)行校驗(yàn),這種對(duì)位方式必然導(dǎo)致檢驗(yàn)時(shí)需要蒸鍍好多片基板,進(jìn)行對(duì)位后蒸鍍,取出來(lái)校正,再更正坐標(biāo),再蒸鍍,往復(fù)好多次,這樣既浪費(fèi)時(shí)間,又浪費(fèi)基板和有機(jī)材料。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種對(duì)位方便的蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng)。
為實(shí)現(xiàn)前述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng),其包括設(shè)置在掩膜板的四個(gè)邊角上的第一對(duì)位標(biāo)識(shí)、設(shè)置在基板上的四個(gè)用以分別和第一對(duì)位標(biāo)識(shí)進(jìn)行相對(duì)位的第二對(duì)位標(biāo)識(shí)、以及設(shè)置在掩膜板正上方的用以判斷第一對(duì)位標(biāo)識(shí)和第二對(duì)位標(biāo)識(shí)是否對(duì)齊吻合的四個(gè)攝像頭,該攝像頭分別具有觀察到第一對(duì)位標(biāo)識(shí)和第二對(duì)位標(biāo)識(shí)的可視范圍。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一對(duì)位標(biāo)識(shí)上和第二對(duì)位標(biāo)識(shí)具有與可視范圍相交的對(duì)位標(biāo)識(shí)延長(zhǎng)線(xiàn)。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述對(duì)位標(biāo)識(shí)延長(zhǎng)線(xiàn)與可視范圍相交形成至少兩個(gè)相交點(diǎn)。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),位于掩膜板對(duì)角線(xiàn)上的兩個(gè)可視范圍內(nèi)的對(duì)位標(biāo)識(shí)延長(zhǎng)線(xiàn)上標(biāo)有刻度。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),相鄰的兩根對(duì)位標(biāo)識(shí)延長(zhǎng)線(xiàn)相位于同一條直線(xiàn)上。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一對(duì)位標(biāo)識(shí)和第二對(duì)位標(biāo)識(shí)完全相同。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一對(duì)位標(biāo)識(shí)和第二對(duì)位標(biāo)識(shí)均為“十”字形。
本發(fā)明通過(guò)在掩膜板的四個(gè)邊角上設(shè)置對(duì)位標(biāo)識(shí),對(duì)應(yīng)的基板上也設(shè)置有四個(gè)對(duì)位標(biāo)識(shí),只要讓掩膜板上的四個(gè)對(duì)位標(biāo)識(shí)和基板上四個(gè)的對(duì)位標(biāo)識(shí)完全吻合,就證明對(duì)位完成,如果出現(xiàn)偏差也可以直接進(jìn)行補(bǔ)償,不需要打開(kāi)腔室進(jìn)行測(cè)量重新定位,這樣可以節(jié)省大量的時(shí)間,并且可以節(jié)省基板和有機(jī)材料。
附圖說(shuō)明
圖1為現(xiàn)有蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng)中掩膜板及其對(duì)位標(biāo)識(shí)的示意圖。
圖2為本發(fā)明蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng)中掩膜板及其對(duì)位標(biāo)識(shí)的示意圖。
圖3為本發(fā)明蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng)中的掩膜板和基板發(fā)生角度偏差時(shí)的示意圖。
圖4為本發(fā)明蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng)中的掩膜板和基板發(fā)生位移偏差時(shí)的示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參見(jiàn)圖1所示的一種現(xiàn)有的蒸鍍掩膜板對(duì)位系統(tǒng)中的掩膜板,該掩膜板的對(duì)位系統(tǒng)為設(shè)置在掩膜板1的兩對(duì)角上的一對(duì)“十”字形對(duì)位標(biāo)識(shí)11,在使用新的蒸鍍掩膜板時(shí),都要對(duì)該掩膜板和基板進(jìn)行初調(diào),確定各坐標(biāo)的值,這個(gè)過(guò)程需要幾片到十幾片的薄膜晶體管(Thin?FilmTransistor,?以下簡(jiǎn)稱(chēng)TFT)基板進(jìn)行對(duì)位,并且每次初調(diào)都必須蒸鍍有機(jī)材料到TFT基板,然后將基板取出放到顯微鏡下進(jìn)行測(cè)試,既浪費(fèi)時(shí)間也浪費(fèi)材料。
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C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





