[發(fā)明專利]晶圓托盤和晶圓盒無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110416552.7 | 申請日: | 2011-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN103165502A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 溫子瑛;馬彥圣 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/673 |
| 代理公司: | 無錫互維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236 | 代理人: | 王愛偉 |
| 地址: | 214135 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 托盤 晶圓盒 | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體承載領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓托盤和晶圓盒。
【背景技術(shù)】
目前集成電路逐漸被應(yīng)用到很多領(lǐng)域中,比如計(jì)算機(jī)、通信、工業(yè)控制和消費(fèi)性電子等。集成電路的制造業(yè),已經(jīng)成為和鋼鐵一樣的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。
在集成電路的生產(chǎn)制造過程中,通常晶圓的搬運(yùn)都是通過全自動(dòng)控制晶圓搬運(yùn)系統(tǒng)來完成的,用于制作芯片的晶圓在不同制程之間以及同一制程中的運(yùn)輸都是借助晶片盒的承載來實(shí)現(xiàn)的。晶片盒可以方便晶圓的存儲(chǔ)和搬移,避免破壞和污染。通常,在生產(chǎn)過程中使用的晶片盒都會(huì)承載多片晶圓,并且體積都很大,重量較重,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,而且制造成本較高。然而,在一些應(yīng)用中,比如半導(dǎo)體制程的研究時(shí),不需要大批量的運(yùn)輸晶圓,而只需要小批量或單個(gè)的運(yùn)輸晶圓,此時(shí)就不再適合使用現(xiàn)有的晶圓盒了。
因此,有必要提出一種新型的晶圓托盤和晶圓盒。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種體積較小、結(jié)構(gòu)簡單、方便使用、成本較低的便攜式晶圓托盤和晶圓盒。
為了解決上述問題,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,本發(fā)明提供了一種晶圓托盤,其包括底板和形成于所述底板的上表面上的若干個(gè)互相間隔的凸臺,相鄰的兩個(gè)凸臺之間形成有空隙。每個(gè)凸臺包括有位于所述底板的上表面上方的第一臺階表面、位于第一臺階表面上方的第二臺階表面,各個(gè)凸臺的第一臺階表面位于一個(gè)平面上,各個(gè)凸臺的第二臺階表面位于一個(gè)平面上,各個(gè)凸臺的第一臺階表面上可承載第一尺寸的晶圓,各個(gè)凸臺的第二臺階表面上可承載第二尺寸的晶圓,其中第一尺寸小于第二尺寸。
進(jìn)一步的,每個(gè)凸臺還包括有自所述底板的上表面延伸至第一臺階表面的第一鄰接面、自第一臺階表面延伸至第二臺階表面的第二鄰接面、位于第二臺階表面上方的凸臺頂面以及自第二臺階表面向上傾斜延伸至凸臺頂面的第三鄰接面。
進(jìn)一步的,各個(gè)凸臺的對應(yīng)鄰接面與相接的表面的鄰接線為同心圓弧。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面,本發(fā)明提供了一種晶圓托盤,其包括底板和形成于所述底板的上表面上的若干個(gè)互相間隔的凸臺,相鄰的兩個(gè)凸臺之間形成有空隙。每個(gè)凸臺包括有傾斜的承載面,各個(gè)凸臺的承載面的同高線位于同一個(gè)平面且為同心圓弧。
進(jìn)一步的,所述晶圓托盤可承載多個(gè)尺寸的晶圓,所述晶圓平穩(wěn)放置于所述晶圓托盤上時(shí),所述晶圓的部分邊緣與所述凸臺的承載面相接觸。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面,本發(fā)明提供了一種晶圓盒,其包括:晶圓托盤和晶圓托盤上蓋。所述晶圓托盤包括底板和形成于所述底板的上表面上的若干個(gè)互相間隔的凸臺,相鄰的兩個(gè)凸臺之間形成有空隙。每個(gè)凸臺包括有位于所述底板的上表面上方的第一臺階表面、位于第一臺階表面上方的第二臺階表面,各個(gè)凸臺的第一臺階表面位于一個(gè)平面上,各個(gè)凸臺的第二臺階表面位于一個(gè)平面上,各個(gè)凸臺的第一臺階表面上可承載第一尺寸的晶圓,各個(gè)凸臺的第二臺階表面上可承載第二尺寸的晶圓,其中第一尺寸小于第二尺寸。所述晶圓托盤上蓋包括上蓋頂部和自所述上蓋頂部延伸形成的上蓋側(cè)壁,所述上蓋側(cè)壁圍成了空腔,所述空腔的底部包括有鄰接所述上蓋側(cè)壁內(nèi)側(cè)的第一平面底壁、位于中心的低于所述第一平面底壁的第二平面底壁以及連接第一平面底壁和第二平面底壁的傾斜底壁。
進(jìn)一步的,將所述晶圓托盤上蓋蓋于晶圓托盤上,所述晶圓托盤的多個(gè)凸臺都收容于所述晶圓托盤上蓋的空腔內(nèi),所述晶圓托盤上蓋的上蓋側(cè)壁內(nèi)側(cè)與所述凸臺的外側(cè)接觸。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明中的便攜式晶圓托盤和晶圓盒具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單和成本較低等優(yōu)點(diǎn)。
關(guān)于本發(fā)明的其他目的,特征以及優(yōu)點(diǎn),下面將結(jié)合附圖在具體實(shí)施方式中詳細(xì)描述。
【附圖說明】
結(jié)合參考附圖及接下來的詳細(xì)描述,本發(fā)明將更容易理解,其中同樣的附圖標(biāo)記對應(yīng)同樣的結(jié)構(gòu)部件,其中:
圖1A為本發(fā)明中的晶園托盤的第一實(shí)施例的立體圖;
圖1B為圖1A中的晶園托盤的俯視圖;
圖1C為圖1B中的晶園托盤沿A-A剖面線的剖視放大圖;
圖2A為本發(fā)明中的晶園托盤的第二實(shí)施例的立體圖;
圖2B為圖2A中的晶園托盤的俯視圖;
圖2C為圖2B中的晶園托盤沿B-B剖面線的剖視放大圖;
圖3A為本發(fā)明中的晶園托盤上蓋的一個(gè)實(shí)施例的立體圖;
圖3B為圖3A中的晶園托盤上蓋的俯視圖;和
圖3C為圖3B中的晶園托盤上蓋沿C-C剖面線的剖視放大圖。
【具體實(shí)施方式】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





