[發(fā)明專利]一種并列型光電探測(cè)器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110415890.9
• 申請(qǐng)日: 2011-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN103165627A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安金和光學(xué)科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/144
• 分類號(hào): H01L27/144
• 代理公司: 西安創(chuàng)知專利事務(wù)所 61213
• 代理人: 譚文琰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光電探測(cè)器，特別是涉及一種并列型光電探測(cè)器。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的光電探測(cè)器的種類較多，最常用的是PIN型和APD型，其常見光電探測(cè)器的光敏面的直徑在4微米至500微米，但這些光電探測(cè)器的光敏面都是一體的，也就是只適于探測(cè)一個(gè)光信號(hào)；另一方面，現(xiàn)有的雙包層或多包層光纖的出現(xiàn)，需要分別監(jiān)測(cè)纖芯以及包層的光信號(hào)時(shí)，現(xiàn)有的光電探測(cè)器是無能為力的，需要通過特殊的耦合器分離光信號(hào)才能監(jiān)測(cè)，這樣導(dǎo)致成本的上升。中國專利申請(qǐng)?zhí)?00710015228.8文中揭示了一種采用雙包層光纖傳感裝置，其中提到了需要檢測(cè)內(nèi)包層的光信號(hào)的強(qiáng)度，而不得不使用雙包層光纖耦合器將雙包層光纖的內(nèi)包層光信號(hào)提取出來，導(dǎo)致了成本的增加。隨著雙包層光纖以及多包層光纖在通信、傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用，需要可同時(shí)監(jiān)測(cè)纖芯和包層內(nèi)傳輸?shù)墓庑盘?hào)的光電探測(cè)器，市場(chǎng)上還未發(fā)現(xiàn)有這樣的產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種并列型光電探測(cè)器。該并列型光電探測(cè)器可以將雙包層或多包層光纖中纖芯和包層中傳輸?shù)墓庑盘?hào)同時(shí)檢測(cè)，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、生產(chǎn)成本低，便于推廣使用。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種并列型光電探測(cè)器，包括半導(dǎo)體材料構(gòu)成的p區(qū)、輕摻雜的本征的i區(qū)和n區(qū)，其特征在于：所述的p區(qū)、i區(qū)和n區(qū)被絕緣層分割成獨(dú)立的兩個(gè)部分，p區(qū)一、i區(qū)一和n區(qū)一以及電極一和電極二構(gòu)成一個(gè)光電探測(cè)元件一；p區(qū)二、i區(qū)二和n區(qū)二以及電極三和電極四構(gòu)成另一個(gè)光電探測(cè)元件二，光電探測(cè)元件一和光電探測(cè)元件二為圓環(huán)形，且光電探測(cè)元件一在光電探測(cè)元件二外側(cè)，在p區(qū)一和p區(qū)二分別還有鍍覆有防反射層一和防反射層二。

上述的一種并列型光電探測(cè)器，其特征在于，所述的絕緣層是二氧化硅層。

上述的一種并列型光電探測(cè)器，其特征在于，所述的防反射層一和防反射層二是由二氧化硅構(gòu)成。

上述的一種并列型光電探測(cè)器，其特征在于，所述的電極一、電極二、電極三和電極四是由金、銀、銅或鋁材料構(gòu)成。

上述的一種并列型光電探測(cè)器，其特征在于，所述的防反射層二的外徑為4微米至75微米，所述的防反射層一的內(nèi)徑在10微米至100微米，防反射層一的外徑在30微米至500微米。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1、本發(fā)明的并列型光電探測(cè)器可同時(shí)檢測(cè)雙包層或多包層光纖的纖芯和包層內(nèi)傳輸?shù)墓庑盘?hào)的強(qiáng)度，避免使用特殊的雙包層光纖耦合裝置，可以大幅度的降低成本、減小體積，并且使用方便高效，具有良好的市場(chǎng)前景。

2、本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)成本低，使用效果好，便于推廣使用。

綜上所述，本發(fā)明的并聯(lián)型光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、用途廣，具有較好的市場(chǎng)前景。

下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說明：

1-電極一；2-電極二；????3-電極三；

4-電極四；5-防反射層一；6-防反射層二；

7-p區(qū)一；?8-i區(qū)一；?????9-n區(qū)一；

10-p區(qū)二；11-i區(qū)二；????12-n區(qū)二；

15-絕緣層。

具體實(shí)施方式

如圖1和圖2所示的一種并列型光電探測(cè)器，包括半導(dǎo)體材料構(gòu)成的p區(qū)、輕摻雜的本征的i區(qū)和n區(qū)，所述的p區(qū)、i區(qū)和n區(qū)被絕緣層15分割成獨(dú)立的兩個(gè)部分，其中，p區(qū)一7、i區(qū)一8和n區(qū)一9以及電極一1和電極二2構(gòu)成一個(gè)光電探測(cè)元件一；p區(qū)二10、i區(qū)二11和n區(qū)二12以及電極三3和電極四4構(gòu)成另一個(gè)光電探測(cè)元件二，光電探測(cè)元件一和光電探測(cè)元件二為圓環(huán)形，且光電探測(cè)元件一在光電探測(cè)元件二外側(cè)，在p區(qū)一7和p區(qū)二10分別還有鍍覆有防反射層一5和防反射層二6。

將雙包層光纖的端面處理后將端面與并列型光電探測(cè)器探測(cè)面固定在一起，其中纖芯對(duì)準(zhǔn)防反射層二6，內(nèi)包層對(duì)準(zhǔn)防反射層一5，就可以同時(shí)檢測(cè)纖芯和內(nèi)包層中傳輸?shù)墓庑盘?hào)的強(qiáng)度。

優(yōu)選的，所述的絕緣層15是二氧化硅層。

優(yōu)選的，所述的防反射層一5和防反射層二6是由二氧化硅構(gòu)成。

優(yōu)選的，所述的電極一1、電極二2、電極三3和電極四4是由金、銀、銅或鋁材料構(gòu)成。

優(yōu)選的，所述的防反射層二6的外徑為4微米至75微米，所述的防反射層一5的內(nèi)徑在10微米至100微米，防反射層一5的外徑在30微米至500微米。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本發(fā)明作任何限制，凡是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、變更以及等效結(jié)構(gòu)變換，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。