[發明專利]一種并列型光電探測器

無效

• 申請號: 201110415890.9
• 申請日: 2011-12-11
• 公開（公告）號: CN103165627A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 杜兵
• 申請（專利權）人: 西安金和光學科技有限公司
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144
• 代理公司: 西安創知專利事務所 61213
• 代理人: 譚文琰

1.一種并列型光電探測器，包括半導體材料構成的p區、輕摻雜的本征的i區和n區，其特征在于：所述的p區、i區和n區被絕緣層(15)分割成獨立的兩個部分，p區一(7)、i區一(8)和n區一(9)以及電極一(1)和電極二(2)構成一個光電探測元件一；p區二(10)、i區二(11)和n區二(12)以及電極三(3)和電極四(4)構成另一個光電探測元件二，光電探測元件一和光電探測元件二為圓環形，且光電探測元件一在光電探測元件二外側，在p區一(7)和p區二(10)分別還有鍍覆有防反射層一(5)和防反射層二(6)。

2.根據權利要求1所述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的絕緣層(15)是二氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的防反射層一(5)和防反射層二(6)是由二氧化硅構成。

4.根據權利要求1所述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的電極一(1)、電極二(2)、電極三(3)和電極四(4)是由金、銀、銅或鋁材料構成。

5.根據權利要求1所述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的防反射層二(6)的外徑為4微米至75微米，所述的防反射層一(5)的內徑在10微米至100微米，防反射層一(5)的外徑在30微米至500微米。