[發(fā)明專利]形成較小高差的半導體組件導電接觸及半導體組件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110414241.7
• 申請日: 2011-12-13
• 公開（公告）號: CN103021932A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 章正欣;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種形成具有較小高差的半導體組件導電接觸的方法，其特征在于，包括：

形成多個閘極；

在各閘極上形成緩沖層；

形成絕緣層，填入所述各閘極間的空隙；

形成與所述多個閘極交錯的長條型光阻圖案；

以所述多個閘極和所述長條型光阻圖案作為罩幕，使用自對準制程蝕刻該絕緣層，形成多個第一開口；

形成導電接觸層，填入各第一開口；

對所述導電接觸層進行第一化學機械研磨制程；

移除所述緩沖層；以及

對所述導電接觸層進行第二化學機械研磨制程。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成具有較小高差的半導體組件導電接觸的方法，其特征在于，所述各閘極包括位于基底上的閘極介電層、位于所述閘極介電層上的閘電極層和所述閘電極層上的蓋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成具有較小高差的半導體組件導電接觸的方法，其特征在于，形成所述多個閘極和所述緩沖層的步驟包括：

提供基底；

在所述基底上形成閘極介電層；

在所述閘極介電層上形成閘電極層；

在所述閘電極層上形成蓋層；

在所述蓋層上形成所述緩沖層；以及

圖案化所述閘極介電層、所述閘電極層、所述蓋層和所述緩沖層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成具有較小高差的半導體組件導電接觸的方法，其特征在于，形成所述多個閘極和所述緩沖層的步驟包括：

提供基底；

在所述基底上形成閘極介電層；

在所述閘極介電層上形成閘電極層；

在所述閘電極層上形成蓋層；

圖案化所述閘極介電層、所述閘極介電層和所述蓋層，形成所述多個閘極；

形成所述絕緣層，填入所述各閘極間的空隙；

對所述絕緣層進行第三化學機械研磨制程，直到暴露所述蓋層；

移除所述蓋層和蝕刻所述閘電極層，形成多個第二開口；以及

形成所述緩沖層，填入所述多個第二開口。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的形成具有較小高差的半導體組件導電接觸的方法，其特征在于，所述緩沖層包括碳、氮化硅或氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的形成具有較小高差的半導體組件導電接觸的方法，其特征在于，所述導電接觸層包括多晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的形成具有較小高差的半導體組件導電接觸的方法，其特征在于，所述閘電極層包括多晶硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的形成具有較小高差的半導體組件導電接觸的方法，其特征在于，進行所述第二化學機械研磨制程后，所述閘極和所述導電接觸層大體上具有相同的高度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的形成具有較小高差的半導體組件導電接觸的方法，其特征在于，進行所述第二化學機械研磨制程后，所述蓋層的表面與所述導電接觸層的表面大體上共面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的形成具有較小高差的半導體組件導電接觸的方法，其特征在于，進行所述第二化學機械研磨制程后，所述閘電極層的表面與所述導電接觸層的表面大體上共面。

11.一種形成半導體組件的方法，其特征在于，包括：

形成多個閘極；

在各閘極上形成緩沖層；

形成絕緣層，填入所述各閘極間的空隙；

形成與所述多個閘極交錯的長條型光阻圖案；

以所述多個閘極和所述長條型光阻圖案作為罩幕，使用自對準蝕刻制程對該絕緣層進行蝕刻，形成多個第一開口，所述長條型光阻圖案下的部分緩沖層在所述自對準蝕刻制程中未被蝕刻，而未被所述長條型光阻圖案覆蓋的部分緩沖層被蝕刻，因此在以自對準蝕刻制程對所述絕緣層進行蝕刻后，被所述長條型光阻圖案覆蓋的部分緩沖層的厚度大于未被所述長條型光阻圖案覆蓋的緩沖層的厚度；

形成導電接觸層，填入所述多個第一開口；

對所述導電接觸層進行第一化學機械研磨制程；

移除所述緩沖層；以及

對所述導電接觸層進行第二化學機械研磨制程，其中，在進行所述第二化學機械研磨制程之后，所述閘極與所述導電接觸層大體上有相同的高度。