[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110414220.5
• 申請日: 2011-12-13
• 公開（公告）號: CN102569343A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 李律圭;柳春基;樸鮮;樸鐘賢;文相晧;金那英
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

技術領域

本發明涉及有機發光顯示裝置及其制造方法。

背景技術

有機發光顯示裝置不僅具有重量輕、厚度薄的優點，而且還具有視角廣、響應速度快以及功耗低等優點，從而作為下一代顯示裝置而受人矚目。

發明內容

本發明的目的在于提供制造工序簡單并且開口率優異的有機發光顯示裝置及其制造方法。

根據本發明的一方面，提供有機發光顯示裝置，包括：具有半導體層、柵電極以及源電極與漏電極的至少一個以上的晶體管；具有第一電極、第二電極以及第三電極的第一電容器，其中，所述第一電極形成在與所述半導體層相同的層，所述第二電極形成在與所述柵電極相同的層，所述第三電極形成在與所述源電極與漏電極相同的層；具有第一電極與第二電極的第二電容器，其中，所述第一電極形成在與所述半導體層相同的層并且包含所摻雜的離子雜質，所述第二電極形成在與所述柵電極相同的層；形成在與所述柵電極相同的層并且與所述晶體管電連接的像素電極；位于所述像素電極上的發光層；以及與所述像素電極相對設置的相對電極，并且在所述相對電極和所述像素電極之間設置有所述發光層。

根據本發明的另一特征，所述第一電容器可以與向所述至少一個晶體管供給電源電壓的電源電壓供給線連接，并且與所述電源電壓供給線重疊。

根據本發明的再一特征，所述至少一個晶體管為驅動晶體管、所述第一電容器可以為向所述驅動晶體管施加電壓的存儲電容器。

根據本發明的再一特征，所述第一電容器的第一電極可以包括未摻雜離子雜質的半導體。

根據本發明的再一特征，所述第一電容器的第一電極與第三電極可以通過接觸孔連接。

根據本發明的再一特征，所述第一電容器可以并聯形成在所述第一電極和所述第二電極之間的第一靜電電容以及形成在所述第二電極和所述第三電極之間的第二靜電電容。

根據本發明的再一特征，所述第一電容器的第二電極可以包含與所述柵電極相同的物質。

根據本發明的再一特征，所述第一電容器的第三電極可以包含與所述源電極及漏電極相同的物質。

根據本發明的再一特征，所述第一電容器的第三電極可以包括向所述至少一個晶體管供給電源電壓的電源電壓供給線。

根據本發明的再一特征，所述第二電容器可以為與驅動晶體管的柵電極連接的補償電容器。

根據本發明的再一特征，所述第二電容器的第二電極可以為透明導電物質。

根據本發明的再一特征，所述柵電極可以包括：包含透明導電物質的第一層；以及包含金屬的第二層。

根據本發明的再一特征，所述像素電極可以由與所述柵電極相同的透明導電物質形成。

根據本發明的再一特征，所述半導體層可以為非晶硅或者晶硅。

根據本發明的再一特征，所述相對電極可以為反射從所述發光層釋放的光的反射電極。

根據本發明的另一方面，提供有機發光顯示裝置的制造方法，包括：第一掩模工序，在基板上形成半導體層，且圖案化所述半導體層以形成晶體管的半導體層、第一電容器的第一電極和第二電容器的第一電極；第二掩模工序，在第一掩模工序的結果物上形成第一絕緣層，在所述第一絕緣層上依次形成透明導電物質和第一金屬并將其圖案化，以形成晶體管的柵電極、像素電極、第一電容器的第二電極和第二電容器的第二電極；第三掩模工序，在第二掩模工序的結果物上形成第二絕緣層，形成使所述半導體層的源區域及漏區域、所述像素電極、所述第一電容器的第一電極的一部分以及所述第二電容器的第二電極露出的多個接觸孔；第四掩模工序，在第三掩模工序的結果物上形成第二金屬，圖案化所述第二金屬，以形成與所述源區域及漏區域連接的源電極及漏電極以及所述第一電容器的第三電極；以及第五掩模工序，在第四掩模工序的結果物上形成第三絕緣層，并且在第三絕緣層形成開口以使所述像素電極的透明導電物質露出。

根據本發明的另一特征，所述第二掩模工序之后，在所述源區域及漏區域可以摻雜離子雜質。

根據本發明的再一特征，所述第四掩模工序可以包括：去除在所述像素電極和所述第二電容器的第二電極上層疊的所述第二金屬的第一蝕刻工序；以及去除在所述像素電極與第二電容器的透明導電物質上形成的所述第一金屬的第二蝕刻工序。

根據本發明的再一特征，在所述第四掩模工序中，以與所述第一金屬相同的材料形成所述第二金屬，并且可以同時蝕刻所述第一金屬和所述第二金屬。

根據本發明的再一特征，所述第四掩模工序之后、可以在所述第二電容器的第一電極摻雜離子雜質。