[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201110414220.5 | 申請日: | 2011-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN102569343A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 李律圭;柳春基;樸鮮;樸鐘賢;文相晧;金那英 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括:
至少一個晶體管,具有半導體層、柵電極、源電極及漏電極;
第一電容器,具有形成在與所述半導體層相同的層第一電極、形成在與所述柵電極相同的層的第二電極、以及形成在與所述源電極及漏電極相同的層的第三電極;
第二電容器,具有形成在與所述半導體層相同的層并且包含摻雜的離子雜質的第一電極、以及形成在與所述柵電極相同的層的第二電極;
像素電極,形成在與所述柵電極相同的層,并且與所述晶體管電連接;
發光層,位于所述像素電極上;以及
相對電極,與所述像素電極相對設置,并且在所述相對電極和所述像素電極之間設置有所述發光層。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述第一電容器與向所述至少一個晶體管供給電源電壓的電源電壓供給線連接,并且與所述電源電壓供給線重疊。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述至少一個晶體管為驅動晶體管,
所述第一電容器為向所述驅動晶體管施加電壓的存儲電容器。
4.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述第一電容器的第一電極包括未摻雜離子雜質的半導體。
5.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述第一電容器的第一電極與第三電極通過接觸孔連接。
6.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述第一電容器具有并聯的、形成在所述第一電極和所述第二電極之間的第一靜電電容以及形成在所述第二電極和所述第三電極之間的第二靜電電容。
7.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述第一電容器的第二電極包含與所述柵電極相同的物質。
8.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述第一電容器的第三電極包含與所述源電極及漏電極相同的物質。
9.根據權利要求8所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述第一電容器的第三電極包括向所述至少一個晶體管供給電源電壓的電源電壓供給線。
10.根據權利要求3所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述第二電容器為與驅動晶體管的柵電極連接的補償電容器。
11.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述第二電容器的第二電極為透明導電物質。
12.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述柵電極包括:
第一層,包含透明導電物質;以及
第二層,包含金屬。
13.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述像素電極由與所述柵電極相同的透明導電物質形成。
14.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述半導體層為非晶硅或者晶硅。
15.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,
所述相對電極為反射從所述發光層釋放的光的反射電極。
16.一種有機發光顯示裝置的制造方法,包括:
第一掩模工序,在基板上形成半導體層,圖案化所述半導體層以形成晶體管的半導體層、第一電容器的第一電極和第二電容器的第一電極;
第二掩模工序,在第一掩模工序的結果物上形成第一絕緣層,在所述第一絕緣層上依次形成透明導電物質和第一金屬并將其圖案化,以形成晶體管的柵電極、像素電極、第一電容器的第二電極和第二電容器的第二電極;
第三掩模工序,在第二掩模工序的結果物上形成第二絕緣層,形成使所述半導體層的源區域及漏區域、所述像素電極、所述第一電容器的第一電極的一部分以及所述第二電容器的第二電極露出的多個接觸孔;
第四掩模工序,在第三掩模工序的結果物上形成第二金屬,圖案化所述第二金屬,以形成與所述源區域及漏區域連接的源電極及漏電極以及所述第一電容器的第三電極;以及
第五掩模工序,在第四掩模工序的結果物上形成第三絕緣層,在第三絕緣層形成開口以使所述像素電極的透明導電物質露出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





