[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110412676.8
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN103165454A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 李鳳蓮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 屠長存

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在柵極相反兩側的源區和漏區的上部形成硅化物，其中所述柵極形成于襯底上并在其所述相反兩側的側壁上都具有第一側壁間隔件和第二側壁間隔件，所述第一側壁間隔件具有水平部分和垂直部分，所述水平部分位于所述第二側壁間隔件和所述襯底之間，所述垂直部分位于所述第二側壁間隔件和所述側壁之間；

在所述硅化物上選擇性地沉積保護層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述保護層為導電材料。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述導電材料為鈷鎢磷化物(CoWP)或鈷鉬磷化物(CoMoP)。

4.根據權利要求1-3中任何一項所述的方法，其中所述保護層的厚度為20埃至100埃。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

蝕刻去除所述第二側壁間隔件，其中所述保護層保護所述硅化物不被蝕刻去除。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述蝕刻去除所述第二側壁間隔件的步驟是通過濕法或干法蝕刻工藝執行。

7.根據權利要求5所述的方法，其中在蝕刻去除所述第二側壁間隔件之后，還包括：

沉積應力膜，以覆蓋所述保護層以及所述第一側壁間隔件。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述柵極鄰近溝道區，

所述柵極鄰近的溝道區是n型溝道區，所述應力膜是具有拉伸應力的膜；或者

所述柵極鄰近的溝道區是p型溝道區，所述應力膜是具有壓縮應力的膜。

9.根據權利要求1中所述的方法，其中在執行在所述硅化物上沉積保護層之前，還包括在所述柵極的上部形成硅化物，所述在所述硅化物上選擇性地沉積保護層的步驟包括在柵極相反兩側的源區和漏區的上部、所述柵極上部的硅化物上選擇性地沉積保護層。

10.一種半導體器件，包括：

襯底上的柵極；

所述柵極相反兩側的源區和漏區；

所述源區和漏區的上部的硅化物；

所述柵極相反兩側的側壁上的側壁間隔件；以及

所述硅化物上的保護層。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述保護層為導電材料。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中所述導電材料為鈷鎢磷化物(CoWP)或鈷鉬磷化物(CoMoP)。

13.根據權利要求10-12任何一項所述的半導體器件，其中所述保護層的厚度為20埃至100埃。

14.根據權利要求10所述的半導體器件，還包括覆蓋所述保護層以及所述側壁間隔件的應力膜。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中所述柵極鄰近溝道區，

所述柵極鄰近的溝道區是n型溝道區，所述應力膜是具有拉伸應力的膜；或者

所述柵極鄰近的溝道區是p型溝道區，所述應力膜是具有壓縮應力的膜。

16.根據權利要求10所述的半導體器件，還包括所述柵極上部的硅化物以及所述柵極上部硅化物上的保護層。