[發明專利]差分信號端接電路

有效

• 申請號: 201110412641.4
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN102594332A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 約瑟夫·倫格;拉斯·拜爾斯;馬蒙·賽義多;理查德·蓋斯
• 申請（專利權）人: 美高森美半導體公司
• 主分類號: H03K19/018
• 分類號: H03K19/018
• 代理公司: 北京乾誠五洲知識產權代理有限責任公司 11042
• 代理人: 付曉青;楊玉榮

1.一種多模式差分端接電路，所述多模式差分端接電路包括：

用于接收外部差分信號的一對差分輸入端子；

耦合在所述差分輸入端子之間的一對串聯的負載元件；

耦合所述負載元件的公共聯結點的模擬接口端子；

耦合到所述負載元件的公共聯結點、用于響應于數字控制信號有選擇地對其施加偏壓的偏置電路；和

用于接收數字控制信號以激活偏置電路的控制輸入端。

2.根據權利要求1所述的多模式差分端接電路，其中，所述偏置電路包括一對串聯的電阻元件，和由所述數字控制信號操作的一對數字開關，以將所述相應的電阻元件連接到電壓饋送干線。

3.根據權利要求2所述的多模式差分端接電路，其中，所述數字開關是場效應晶體管。

4.根據權利要求2或3所述的多模式差分端接電路，其中，在控制引線的缺省狀態中，所述數字開關斷開，并且適用數字控制信號轉變數字接通。

5.根據權利要求3所述的多模式差分端接電路，其中，所述場效應晶體管的一個是NMOS晶體管，并且所述晶體管的另一個是PMOS晶體管。

6.根據權利要求1～5中任一所述的多模式差分端接電路，其中，所述模擬接口端子通過電阻耦合到所述負載元件的公共聯結點。

7.根據權利要求6所述的多模式差分端接電路，其中，所述偏置電路通過所述電阻耦合到公共聯結點。

8.根據權利要求1～7中任一所述的多模式差分端接電路，其中，所述負載元件是電阻。

9.根據權利要求2所述的多模式差分端接電路，其中，所述控制輸入端經由緩沖放大器連接到所述數字開關的一個。

10.根據權利要求1～9中任一所述的多模式差分端接電路，其中，電路的部件集成在單個芯片之上。

11.一種端接差分信號的方法，所述方法包括：

將差分信號施加于一對差分輸入端子，所述一對差分輸入端子具有在所述它們之間耦合的一對串聯的負載元件；和

通過設置耦合所述負載元件的公共聯結點的模擬接口端子的模擬條件，和用于激活耦合到所述負載元件的公共聯結點的偏置電路的控制輸入的數字條件確定操作模式。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述偏置電路包括一對串聯的電阻元件，并且操作將電阻元件連接到相應的供電干線的一對數字開關的狀態是通過控制輸入的數字條件確定的。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述數字開關是場效應晶體管。

14.根據權利要求12或13所述的方法，其中，在缺省狀態下，所述數字開關斷開，并且數字控制信號適用于控制引線轉變數字接通。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，所述場效應晶體管的一個是NMOS晶體管，并且所述晶體管的另一個是PMOS晶體管。

16.根據權利要求11～15中任一所述的方法，其中，所述模擬接口端子通過電阻耦合到所述負載元件的公共聯結點。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，所述偏置電路通過所述電阻耦合到公共聯結點。

18.根據權利要求11～17中任一所述的方法，其中，所述負載元件是電阻。

19.根據權利要求11～19中任一所述的方法，其中，在直接耦合的PECL模式中，所述模擬接口端子連接到地，并且控制輸入端被配置為使偏置電路無效。

20.根據權利要求11～19中任一所述的方法，其中，在AC耦合的PECL模式中，所述模擬接口端子開路，并且控制輸入端被配置為激活偏置電路，并且控制信號經由電容器施加于輸入端子。

21.根據權利要求11～19中任一所述的方法，其中，在直接耦合的LVDS模式中，所述模擬接口端子開路，并且控制輸入端被配置為使偏置電路無效。

22.根據權利要求11～19中任一所述的方法，其中，在AC耦合的LVDS模式中，所述模擬接口端子開路，并且控制輸入端被配置為激活偏置電路。