[發明專利]柔性PET基底ITO薄膜磁控濺射制備方法

無效

• 申請號: 201110412188.7
• 申請日: 2011-12-12
• 公開（公告）號: CN102534530A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 唐武;殷學松;翁小龍;鄧龍江;陳良
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所 51215
• 代理人: 劉勛

1.柔性PET基底ITO薄膜磁控濺射制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)襯底預處理：去除襯底表面的污垢；

(2)濺射前的準備：將清洗好的襯底置于真空環境中；

(3)預濺射：在氬氣環境下進行預濺射；

(4)濺射鍍膜：完成預濺射后，對有機襯底進行低溫濺射鍍膜，在鍍膜過程中，對基片進行冷卻，每次濺射時間控制在30分鐘內，然后間隔10分鐘～25分鐘后繼續濺射，直到薄膜達到預定厚度。

2.如權利要求1所述的柔性PET基底ITO薄膜磁控濺射制備方法，其特征在于，所述步驟(1)為：將襯底材料置于洗滌劑中，去除襯底表面的油垢，然后用清水清洗殘留在襯底表面的污垢；待其清洗干凈后，放入去離子水中，用超聲波清洗5分鐘；爾后，再置入無水乙醇中，用超聲波清洗3分鐘；再次將其置入到去離子水中，超聲清洗5分鐘；待清洗完畢后，用氮氣吹干。

3.如權利要求1所述的柔性PET基底ITO薄膜磁控濺射制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，真空度為5×10-4Pa。

4.如權利要求1所述的柔性PET基底ITO薄膜磁控濺射制備方法，其特征在于，所述步驟(3)為：充入高純的氬氣，并逐漸調節出氣和進氣的平衡，使氣壓穩定在實驗所需要的工作氣壓1.1Pa，爾后開始進行預濺射，采用預濺射的時間為30分鐘。

5.如權利要求1所述的柔性PET基底ITO薄膜磁控濺射制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，在鍍膜過程中，基片采用循環冷卻水系統冷卻，每次濺射時間控制在30分鐘內，然后間隔10分鐘～25分鐘后繼續濺射。

6.如權利要求1所述的柔性PET基底ITO薄膜磁控濺射制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，膜厚達到210nm時停止濺射。?