[發明專利]電平轉換電路

無效

• 申請號: 201110410519.3
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN102412825A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 田洪宇
• 申請（專利權）人: 上海復旦微電子集團股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種電平轉換電路，其特征在于，包括：電平轉換器和第一反相器；

所述電平轉換器包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管；其中，所述第一NMOS管的源極接地，漏極連接第一PMOS管的漏極，柵極連接第一反相器的輸入端，并作為電平轉換器的輸入端；所述第二NMOS管的源極接地，柵極連接第一反相器的輸出端，漏極連接第二PMOS管的漏極，并作為所述電平轉換電路的輸出端；所述第一PMOS管的源極連接第一電源，柵極連接第二NMOS管的漏極；所述第二PMOS管的源極連接第一電源，柵極連接第一NMOS管的漏極；所述第一反相器的電源端連接第一電源；其中，所述第一電源提供第一高電平電壓，所述電平轉換電路的輸入電壓在0V至第二高電平電壓的范圍內。

2.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一反相器包括CMOS反相器。

3.如權利要求2所述的電平轉換電路，其特征在于，所述CMOS反相器包括：第三PMOS管和第三NMOS管；所述第三PMOS管的源極耦接于第一電源，柵極與第三NMOS管的柵極相連，并作為所述第一反相器的輸入端，漏極與第三NMOS管的漏極相連，并作為所述第一反相器的輸出端；所述第三NMOS管的源極接地。

4.如權利要求3所述的電平轉換電路，其特征在于，所述CMOS反相器還包括第四PMOS管，所述第四PMOS管的源極連接第一電源，柵極與其漏極相連并連接至第三PMOS管的源極。

5.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一高電平電壓大于所述第二高電平電壓。

6.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，還包括緩沖單元，所述緩沖單元的輸入端作為電平轉換電路的輸入端接收輸入信號，其輸出端連接電平轉換器的輸入端。

7.如權利要求6所述的電平轉換電路，其特征在于，所述緩沖單元包括順序連接的偶數個反相器，第一個反相器的輸入端接收輸入信號，最后一個反相器的輸出端連接電平轉換電路的輸入端。

8.如權利要求7所述的電平轉換電路，其特征在于，所述緩沖單元包括第二反相器和第三反相器；所述第二反相器包括第五PMOS管和第四NMOS管，所述第三反相器包括第六PMOS管和第五NMOS管；

其中，所述第五PMOS管與第四NMOS管的柵極相連，并作為所述緩沖單元的輸入端；所述第五PMOS管與第四NMOS管的漏極相連，作為所述第二反相器的輸出端，連接至所述第三反相器的輸入端；所述第五PMOS管的源極連接第二電源，第四NMOS管的源極接地；

所述第六PMOS管與第五NMOS管的柵極相連，并作為所述第三反相器的輸入端；所述第六PMOS管與第五NMOS管的漏極相連，并作為所述第三反相器的輸出端，連接至電平轉換電路的輸入端；所述第六PMOS管的源極連接第二電源，所述第五NMOS管的源極接地；所述第二電源提供第二高電平電壓。

9.如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一PMOS管與第二PMOS管的寬長比相同；所述第一NMOS管與第二NMOS管的寬長比相同。

10.如權利要求9所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一NMOS管的寬長比與第一PMOS管的寬長比之間的比值范圍為8～10。

11.如權利要求9所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一NMOS管和第二NMOS管的寬長比范圍為16～20。