[發明專利]用于CMOS器件的測試器件、制作方法及其使用方法

有效

• 申請號: 201110410491.3
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN103165578A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 王喆;張喆
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/02;G01R31/26
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種用于CMOS器件的測試器件，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括測試區域；

N型阱區和P型阱區，所述N型阱區和所述P型阱區設置在所述半導體襯底中的所述測試區域內；

P型摻雜區和N型摻雜區，所述P型摻雜區位于所述N型阱區內，所述N型摻雜區位于所述P型阱區內且具有預定寬度；

接觸孔，所述接觸孔位于所述N型阱區、所述P型阱區、所述P型摻雜區和所述N型摻雜區上，用于使所述N型阱區、所述P型阱區、所述P型摻雜區和所述N型摻雜區與其它部件連通。

2.如權利要求1所述的測試器件，其特征在于，所述測試器件位于晶片的切割道中。

3.如權利要求1所述的測試器件，其特征在于，所述P型摻雜區包括第一P型摻雜區和第二P型摻雜區，所述N型摻雜區位于所述第一P型摻雜區和所述第二P型摻雜區之間。

4.如權利要求1所述的測試器件，其特征在于，所述P型摻雜區包括第一P型摻雜區、第二P型摻雜區、第三P型摻雜區和第四P型摻雜區，所述N型摻雜區包括分別具有不同預定寬度的第一N型摻雜區、第二N型摻雜區、第三N型摻雜區和第四N型摻雜區，其中，所述第一N型摻雜區、所述第二N型摻雜區、所述第三N型摻雜區和所述第四N型摻雜區分別設置在相鄰的所述第一P型摻雜區、所述第二P型摻雜區、所述第三P型摻雜區和所述第四P型摻雜區之間。

5.如權利要求4所述的測試器件，其特征在于，所述測試區域為矩形，所述第一P型摻雜區、所述第二P型摻雜區、所述第三P型摻雜區和所述第四P型摻雜區分別設置在所述測試區域的靠近四個頂角的位置處，用于容納所述N型摻雜區的所述P型阱區延伸至所述測試區域的中心，用于連接所述P型阱區的接觸孔設置在所述測試區域的中心，用于容納所述P型摻雜區的所述N型阱區延伸至所述測試區域的邊緣，用于連接所述N型阱區的接觸孔設置在所述測試區域的邊緣。

6.如權利要求1所述的測試器件，其特征在于，所述P型摻雜區包括第一P型摻雜區、第二P型摻雜區、第三P型摻雜區、第四P型摻雜區、第五P型摻雜區、第六P型摻雜區、第七P型摻雜區和第八P型摻雜區，所述N型摻雜區包括分別具有不同預定寬度的第一N型摻雜區、第二N型摻雜區、第三N型摻雜區、第四N型摻雜區、第五N型摻雜區、第六N型摻雜區、第七N型摻雜區和第八N型摻雜區，其中，所述第一N型摻雜區、所述第二N型摻雜區、所述第三N型摻雜區、所述第四N型摻雜區、所述第五N型摻雜區、所述第六N型摻雜區、所述第七N型摻雜區和所述第八N型摻雜區分別設置在所述第一P型摻雜區、所述第二P型摻雜區、所述第三P型摻雜區、所述第四P型摻雜區、所述第五P型摻雜區、所述第六P型摻雜區、所述第七P型摻雜區和所述第八P型摻雜區之間。

7.如權利要求6所述的測試器件，其特征在于，所述測試區域為矩形，所述第一P型摻雜區、所述第二P型摻雜區、所述第三P型摻雜區、所述第四P型摻雜區、所述第五P型摻雜區、所述第六P型摻雜區、所述第七P型摻雜區和所述第八P型摻雜區均勻地設置在所述測試區域的靠近四條邊的位置處，用于容納所述N型摻雜區的所述P型阱區延伸至所述測試區域的中心，用于連接所述P型阱區的接觸孔設置在所述測試區域的中心，用于容納所述P型摻雜區的所述N型阱區延伸至所述測試區域的邊緣，用于連接所述N型阱區的接觸孔設置在所述測試區域的邊緣。

8.如權利要求1所述的測試器件，其特征在于，所述P型摻雜區包括第一P型摻雜區、第二P型摻雜區、第三P型摻雜區、第四P型摻雜區、第五P型摻雜區、第六P型摻雜區、第七P型摻雜區、第八P型摻雜區和第九P型摻雜區，所述N型摻雜區包括分別具有不同預定寬度的第一N型摻雜區、第二N型摻雜區、第三N型摻雜區、第四N型摻雜區、第五N型摻雜區、第六N型摻雜區、第七N型摻雜區、第八N型摻雜區、第九N型摻雜區、第十N型摻雜區、第十一N型摻雜區和第十二N型摻雜區，其中，所述第一N型摻雜區、所述第二N型摻雜區、所述第三N型摻雜區、所述第四N型摻雜區、所述第五N型摻雜區、所述第六N型摻雜區、所述第七N型摻雜區、所述第八N型摻雜區、所述第九N型摻雜區、所述第十N型摻雜區、所述第十一N型摻雜區和所述第十二N型摻雜區分別設置在相鄰的所述第一P型摻雜區、所述第二P型摻雜區、所述第三P型摻雜區、所述第四P型摻雜區、所述第五P型摻雜區、所述第六P型摻雜區、所述第七P型摻雜區、所述第八P型摻雜區和所述第九P型摻雜區之間。