[發明專利]一種半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201110410407.8 | 申請日： | 2011-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN103165508A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發明（設計）人： | 宋化龍;韓永召 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有用于形成淺溝槽隔離結構的溝槽；
對所述半導體襯底執行第一離子注入步驟，以于所述溝槽的底部形成一P型阱區；
使用隔離材料填充所述溝槽；
對所述半導體襯底執行第二離子注入步驟，以于所述半導體襯底中形成多個n型阱區；
所述P型阱區位于所述多個n型阱區之間。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括對所述半導體襯底進行退火的步驟，以活化注入到所述P型阱區和所述n型阱區中的離子。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述溝槽的步驟包括在所述半導體襯底上形成硬掩膜層的步驟，圖案化所述硬掩膜層的步驟，以所述圖案化了的硬掩膜層為掩膜蝕刻所述半導體襯底的步驟。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層包括自下而上的氧化物層和氮化物層。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化物層為氧化硅，所述氮化物層為氮化硅。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述溝槽執行第一離子注入步驟之前，還包括對所述溝槽的側壁進行氧化以形成側壁氧化物的步驟。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔離材料為氧化物。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述氧化物為HARP或HDP。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述溝槽執行第一離子注入步驟包括在半導體襯底上形成光刻膠層的步驟，以及圖案化所述光刻膠層以暴露出所述溝槽的步驟。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述半導體襯底執行第二離子注入步驟包括在半導體襯底上形成光刻膠層的步驟，以及圖案化所述光刻膠層以暴露除所述淺溝槽隔離結構之外的其它部分的步驟。
11.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，對所述半導體襯底執行第二離子注入步驟之前還包括去除所述硬掩膜層的步驟。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
