[發(fā)明專利]無掩模光刻的剝離方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110404918.9 | 申請日: | 2011-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN102983068A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王宏鈞;林子欽;鄭年富;陳政宏;黃文俊;劉如淦 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人: | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無掩模 光刻 剝離 方法 | ||
1.一種制造半導體器件的方法,包括:
提供布局平面圖;
將所述布局平面圖分割為多部分;
對于所述布局平面圖的所述多部分中的每個實施剝離工藝,從而生成所述布局平面圖的多個剝離部分;以及
將所述布局平面圖的所述剝離部分發(fā)送給無掩模光刻裝置。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,執(zhí)行所述剝離工藝,使得使用多個數據處理器中的不同數據處理器實施用于所述布局平面圖的每部分的所述剝離工藝,所述多個數據處理器同時操作以執(zhí)行所述剝離工藝。
3.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:在所述分割以前:對所述布局平面圖實施近似校正工藝。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,根據預置標準集合實施所述分割,從而優(yōu)化所述分割。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,所述布局平面圖包括多個集成電路(IC)部分,并且進一步包括:在所述分割以前,將所述布局平面圖的所述IC部分合并為單個文件,其中,對于所述單個文件實施所述分割。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,所述布局平面圖包括多個集成電路(IC)部分,并且其中,以所述布局平面圖中的所述多部分均對應于所述IC部分中的相應一個的方式實施所述分割。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,以至少將所述IC部分的子集進一步分割為所述布局平面圖的兩個或多部分的方式實施所述分割。
8.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:將所述布局平面圖中的所述多個分離部分合并為單個合并文件,其中,所述發(fā)送包括將所述單個合并文件發(fā)送至所述無掩模光刻裝置。
9.一種實施無掩模光刻工藝的方法,包括:
接收用于集成電路(IC)器件的計算機布局文件,所述布局文件包括多個IC部分;
將所述計算機布局文件分為多個子文件,其中,每個子文件包括多層;
使用多個計算機處理器同時剝離所述多個子文件,從而生成多個剝離的子文件;以及
將所述多個剝離的子文件傳輸至無掩模光刻系統(tǒng)。
10.一種包括非臨時的、實際計算機可讀存儲介質的裝置,所述計算機可讀存儲介質存儲計算機程序,其中,所述計算機程序包括指令,當執(zhí)行指令時,實施以下步驟:
提供集成電路(IC)布局文件,所述IC布局文件包括多個IC模塊;
將所述IC布局文件劃分為多個分割文件;
對于所述分割文件同時實施多個剝離工藝,其中,每個分割文件經受剝離工藝,通過多個計算機處理器中的不同計算機處理器實施所述剝離工藝;以及
將實施的分離文件發(fā)送至無掩模光刻系統(tǒng)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





