[發明專利]多晶硅堿性制絨方法

無效

• 申請號: 201110404087.5
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN102437044A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 陳騰;趙有文
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

技術領域

本發明涉及太陽能電池領域，具體涉及一種適用于多晶硅太陽能電池生產的堿性制絨方法。

背景技術

現今太陽能電池制造業的競爭越演越烈，如何在穩固電池性能的同時降低電池生產成本，無疑成為各電池制造商提高競爭力的有效途徑。考慮到現有多晶硅電池生產過程中酸制絨環節成本較高，包括生產設備成本和制絨劑成本，我們試驗出一種堿制絨方法NaClO₃-NaOH，其本身價格低，且適用于成本較低的槽式制絨設備，從而可以有效地降低多晶硅制絨成本。

發明內容

本發明的目的在于，提供了一種適用于多晶硅電池生產的堿性制絨方法，具有成本低廉和操作簡單的優點。

本發明提供了一種多晶硅堿性制絨方法，包括以下步驟：

1)配制堿性制絨液；

2)將配制好的制絨液加熱，然后取一片多晶硅浸泡于制絨液中，進行制絨；

3)對制絨后的多晶硅片漂洗；

4)漂洗后酸洗，再進行二次漂洗；

5)將二次漂洗后的多晶硅片甩干，完成多晶硅堿性制絨的步驟。

其中制絨液為NaClO₃溶液與NaOH溶液配制而成。

其中制絨液中的NaClO₃溶液與NaOH溶液的濃度比為8∶1-10∶1，其余為去離子水。

其中制絨液加熱的溫度為80℃±5℃。

其中多晶硅片浸泡于制絨液中的時間為55-60秒。

其中漂洗后酸洗，再進行二次漂洗，是于去離子中漂洗120秒，再于濃度5％的HCl溶液中酸洗100秒，然后再于去離子水中漂洗120秒。

本發明的有益效果是：

該堿性制絨方法效果與常規酸性制絨效果相近，制絨后陷光效果略優于酸性制絨，采用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)鍍膜后陷光效果與酸性制絨相近。

該制絨方法采用堿性制絨體系NaClO₃-NaOH對多晶硅進行制絨，相比價格較高的酸性制絨體系HF-HNO₃可以節約生產成本；同時，該堿性制絨方法適用于成本較低的槽式制絨設備。

堿性制絨在形成絨面的同時很少引入酸性制絨常出現的腐蝕坑，因而可以有效地減小電池的反向電流，提高電池性能。

附圖說明

為進一步說明本發明的技術內容，以下結合實施例及附圖詳細說明如后，其中：

圖1是本發明制絨方法的流程圖；

圖2是規格156mm×156mm多晶硅片堿性制絨后的絨面顯微鏡圖像(1000倍)；

圖3是堿性制絨與酸性制絨后300nm-1100nm入射光下反射率的對比圖；

圖4是兩種絨面采用PECVD鍍膜后300nm-1100nm入射光下反射率的對比圖。

具體實施方式

以下結合具體的實施例對本發明的技術方案作進一步的說明，而不是限制本發明的應用范圍。

請參閱圖1所示，本發明提供一種多晶硅堿性制絨方法，包括以下步驟：

1)配制堿性制絨液，所述制絨液由NaClO₃溶液與NaOH溶液配制而成，該制絨液中的NaClO₃溶液與NaOH溶液的濃度比為8∶1-10∶1，其余為去離子水。

2)將配制好的制絨液加熱，加熱溫度為80℃±5℃，然后取一片多晶硅浸泡于制絨液中進行制絨，所述多晶硅片浸泡于制絨液中的制絨時間為55-60秒。

3)對制絨后的多晶硅片漂洗，漂洗后酸洗，再進行二次漂洗，是于去離子中漂洗120秒，再于濃度5％的HCl溶液中酸洗100秒，然后再于去離子水中漂洗120秒；

4)將二次漂洗后的多晶硅片甩干，完成多晶硅堿性制絨的步驟(見圖2)。

圖3給出的是堿性制絨與酸性制絨后300nm-1100nm入射光下反射率的對比圖。

圖4給出的是兩種絨面采用PECVD鍍膜后300nm-1100nm入射光下反射率的對比圖。

實施例1堿性制絨體系NaClO₃-NaOH的配制方法。

堿性制絨液由分析純級的粉末化學試劑和去離子水配制而成，操作在具有通風廚的實驗臺進行。采用電子天平稱，稱取分析純級的NaClO₃粉末180克，NaOH粉末25克，將兩種化學試劑置于容積為2.5L的聚四氟乙烯槽中，加去離子水至2L水位線，并使用玻璃棒攪拌均勻。