[發(fā)明專利]多晶硅堿性制絨方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110404087.5
• 申請(qǐng)日: 2011-12-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102437044A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳騰;趙有文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種多晶硅堿性制絨方法，包括以下步驟：

1)配制堿性制絨液；

2)將配制好的制絨液加熱，然后取一片多晶硅浸泡于制絨液中，進(jìn)行制絨；

3)對(duì)制絨后的多晶硅片漂洗；

4)漂洗后酸洗，再進(jìn)行二次漂洗；

5)將二次漂洗后的多晶硅片甩干，完成多晶硅堿性制絨的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅堿性制絨方法，其中制絨液為NaClO₃溶液與NaOH溶液配制而成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅堿性制絨方法，其中制絨液中的NaClO₃溶液與NaOH溶液的濃度比為8∶1-10∶1，其余為去離子水。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅堿性制絨方法，其中制絨液加熱的溫度為80℃±5℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅堿性制絨方法，其中多晶硅片浸泡于制絨液中的時(shí)間為55-60秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅堿性制絨方法，其中漂洗后酸洗，再進(jìn)行二次漂洗，是于去離子中漂洗120秒，再于濃度5％的HCl溶液中酸洗100秒，然后再于去離子水中漂洗120秒。