[發(fā)明專利]測試裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110403993.3
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN102565657A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 天沼圣司
• 申請（專利權(quán)）人: 愛德萬測試株式會社
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/14
• 代理公司: 北京英特普羅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11015
• 代理人: 齊永紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種測試裝置。

背景技術(shù)

作為用于大電流電路的開關(guān)器件，已知有使用了絕緣柵極型雙極晶體管(以下稱為IGBT)等元件的器件。在該器件中，根據(jù)所要求的電流規(guī)格等并聯(lián)多個(gè)IGBT元件(例如參照專利文獻(xiàn)1)。用于對該設(shè)備進(jìn)行測試的測試裝置從公共的電源向多個(gè)IGBT供給電源電力。

專利文獻(xiàn)1：專利公開2000-58820號公報(bào)

作為大電流的開關(guān)器件的測試項(xiàng)目，有雪崩擊穿測試。在雪崩擊穿測試中，在將被測試器件與感應(yīng)器等的感應(yīng)負(fù)載連接，而使被測試器件處于導(dǎo)通狀態(tài)的期間，在該感應(yīng)負(fù)載中蓄積電能。其后，將被測試器件切換至非導(dǎo)通狀態(tài)，以對在將蓄積于感應(yīng)負(fù)載中的電能施加到被測試器件時(shí)的被測試器件的耐受性進(jìn)行測試。

在此，將在被測試器件處于非導(dǎo)通狀態(tài)的期間，通過施加超過被測試器件的額定值的電壓而流入被測試器件的電流稱為雪崩電流。雪崩電流流通的時(shí)間稱為雪崩時(shí)間。在雪崩時(shí)間內(nèi)施加于被測試器件上的電壓稱為雪崩電壓。

在雪崩期間中被測試器件以短路模式發(fā)生故障時(shí)，過大電流流過被測試器件。當(dāng)過大電流流過被測試器件時(shí)，擴(kuò)大了被測試器件的損傷，也存在難以分析出被測試器件發(fā)生故障的原因的情況。另外，還存在由該過大電流使測試裝置損傷的情況。因此，為了防止被測試器件以及測試裝置受到損傷，重要的是，在被測試器件發(fā)生故障的情況下，利用開關(guān)等來迅速防止來自感應(yīng)負(fù)載的電流流入被測試器件中。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決所述問題，在本發(fā)明的第一技術(shù)方案中提供一種測試裝置，是對被測試器件進(jìn)行測試的測試裝置，具有：用于產(chǎn)生向所述被測試器件供給電源電壓的電源部；設(shè)置在從所述電源部至所述被測試器件的路徑中的感應(yīng)負(fù)載部；相對于所述感應(yīng)負(fù)載部而言與所述被測試器件并聯(lián)連接的第一半導(dǎo)體開關(guān)；以及在切斷對所述被測試器件供給的電源電壓的情況下，導(dǎo)通所述第一半導(dǎo)體開關(guān)的控制部。

此外，上述發(fā)明內(nèi)容并未全部列舉出本發(fā)明的必要特征。另外，這些特征組的副組合也還是發(fā)明。

附圖說明

圖1是與被測試器件200一起示出對被測試器件200進(jìn)行測試的測試裝置100的結(jié)構(gòu)的例子。

圖2是表示異常檢測部30的結(jié)構(gòu)的例子。

圖3是表示在作為IGBT的被測試器件200的雪崩擊穿耐量的測試中，在被測試器件200正常動(dòng)作的情況下的被測試器件200的柵極電壓、集電極-發(fā)射極間電壓、集電極電流、第一半導(dǎo)體開關(guān)24的控制信號以及連接點(diǎn)A電壓的波形的一個(gè)例子。

圖4是表示在作為IGBT的被測試器件200的雪崩擊穿耐量的測試中，被測試器件200異常動(dòng)作的情況下中的被測試器件200的柵極電壓、集電極-發(fā)射極間電壓、集電極電流、第一半導(dǎo)體開關(guān)24的控制信號以及連接點(diǎn)A電壓的波形的一個(gè)例子。

圖5是表示改變對各第三半導(dǎo)體開關(guān)28-1及28-2的輸入時(shí)機(jī)的控制信號的一個(gè)例子。

圖6是表示按各個(gè)第三半導(dǎo)體開關(guān)28-1及28-2而對變化時(shí)的傾向加以改變的控制信號的一個(gè)例子。

具體實(shí)施方式

以下，通過發(fā)明的實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行說明，但以下的實(shí)施方式并不限定專利權(quán)利要求所涉及的發(fā)明。另外，在實(shí)施方式中所說明的特征的組合并非全都是發(fā)明的解決手段所必需的。

圖1示出了被測試器件200和用于對被測試器件200進(jìn)行測試的測試裝置100的結(jié)構(gòu)例子。被測試器件200包括例如絕緣柵極型雙極晶體管(IGBT)等高耐壓、大電流的開關(guān)元件。被測試器件200可以具有并聯(lián)地形成于公共基板上的多個(gè)開關(guān)元件。

被測試器件200是具有數(shù)百至數(shù)千V左右的耐壓性能，并且能夠流入數(shù)A(安培)至數(shù)百A(安培)左右電流的器件。另外，被測試器件200可以為車載用的器件。

測試裝置100具有控制部10、電源部20、感應(yīng)負(fù)載部22、第一半導(dǎo)體開關(guān)24、第二半導(dǎo)體開關(guān)26、第三半導(dǎo)體開關(guān)28-1、28-2、異常檢測部30、放電管50、絕緣放大器52以及鉗位部60。控制部10控制測試裝置100的各構(gòu)成要素。控制部10可以對測試裝置100的各構(gòu)成要素供給信號，而且接收來自各構(gòu)成要素的信號。