[發明專利]培育食用菌高硒耐受性菌種的方法無效
| 申請號: | 201110402189.3 | 申請日: | 2011-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN102511305A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發明(設計)人: | 袁林喜;胡海濤 | 申請(專利權)人: | 蘇州硒谷科技有限公司 |
| 主分類號: | A01G1/04 | 分類號: | A01G1/04;C05G1/00 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 培育 食用菌 耐受 菌種 方法 | ||
技術領域
本發明涉及高硒材料的制備方法,具體是指一種培育食用菌高硒耐受性菌種的方法。
背景技術
硒是人和動物體內必需的微量元素,是構成谷胱甘肽過氧化物酶(GSH-Px)、硒蛋白P等多達23種功能蛋白的活性中心,具有以下功效:(1)清除體內過氧化物、自由基,保護細胞結構與功能不受干擾與損害,延緩衰老;(2)加速致癌物質的代謝,促進DNA損傷修復,降低癌癥發病率;(3)拮抗體內有毒物質,降低其毒性,有效保護肝臟;(4)增強機體細胞免疫功能,提高機體免疫力。而硒的嚴重缺乏會直接導致克山病和大骨節病,其中克山病最早發現與70年代的黑龍江克山縣,是以心臟呈不同程度的擴張,嚴重時呈球形,心肌有散在不同程度的壞死灶及斑痕區為主要表現的心肌病;大骨節病是以骨關節增粗、畸形為主要表現的一種地方病。
土壤缺硒是全世界廣泛存在的問題,盡管我國的湖北恩施有世界硒都之稱,陜西紫陽也是一個富硒區,但是我國存在一個從東北黑龍江省一直延伸到西南云南省的低硒帶,占據我國國土面積的72%。在這些低硒區,農作物等食物的生長過程中無法從土壤中獲取充足的硒,從而形成食物鏈的普遍缺硒狀態,因此這些區域的人體內也處于缺硒的狀態,研究顯示中國人均日攝入硒的總量約為35μg,顯著低于世界衛生組織(WHO)推薦的硒日攝入量50-200μg。因此,補充硒的有效攝入成為我國低硒地區的迫在眉睫的問題。
食用菌因其具有繁殖時間短、生物量大、蛋白含量高等特點,同時具有傳統的保健功能,而且對硒具有一定的富集作用,對其進行富硒研究和開發具有廣闊的應用前景。但是,目前的專利主要集中在對食用菌的富硒營養強化、作為直接食用的農產品進行開發,如:富硒秀珍菇菌粉的制備方法(中國專利申請200610135227.2)、富硒雙孢菇的工廠化栽培方法(中國專利申請200910067431.9),尚未開展任何將食用菌作為高硒載體、作為食品、保健品的添加劑的形式進行開發。目前有兩項專利在菌種的富硒馴化上開展了一些工作,如:富硒香菇菌種馴化與栽培方法(中國專利申請200810010300.2)、富硒桑黃菌菌種馴化、栽培、富集方法(中國專利申請200710011014.3),但是其只經過簡單的兩級馴化,其目的也不是獲取最大耐硒濃度的菌種,而且利用以上兩種專利中的簡單兩級馴化方法并不能獲得高硒耐受性菌種。本發明因此而來。
發明內容
本發明的目的是提供一種培育食用菌高硒耐受性菌種的方法,進而獲取高硒食用菌材料,為開發更豐富、更有效的補硒產品提供優質的材料。本發明的技術方案如下:
一種培育食用菌高硒耐受性菌種的方法,其特征在于所述方法包括以下步驟:
(1)根據食用菌菌種選擇適應食用菌菌種生長的培養基,將食用菌菌種接入培養基中進行試管菌種培養得到初始菌懸液;
(2)將培養基與硒源混合配制成梯度硒濃度的耐硒培養基,采用菌懸液接種方式將食用菌菌種接種到滅菌處理后的耐硒培養基上按照硒濃度從低到高的順序按照常用的食用菌菌種培養方式逐一硒濃度進行耐硒培養;首次耐硒培養使用的菌懸液為初始菌懸液,耐硒培養得到的菌懸液為下一硒濃度進行耐硒培養使用的菌懸液,依次類推;當食用菌菌種生長出現下列情形之一時:
i)菌株生長周期延長至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的一倍以上;
ii)菌種生物量下降至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的30%以下,甚至不生長;
iii)菌株明顯變色;
且相鄰批次耐硒培養基的硒濃度差值在預定閾值內時,停止耐硒培養,并確定食用菌的最佳耐受硒濃度為前一批次耐硒培養基的硒濃度;
(3)根據步驟(2)得到的食用菌的最佳耐受硒濃度采用菌懸液接種方式,進行連續轉接培養,并確定菌種的耐硒性狀穩定,即得到食用菌高硒耐受性菌種。
優選的,所述方法中當食用菌菌種生長出現下列情形之一時:
i)菌株生長周期延長至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的一倍以上;
ii)菌種生物量下降至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的30%以下,甚至不生長;
iii)菌株明顯變色;
當相鄰批次耐硒培養基的硒濃度差值大于預定閾值時,調整耐硒培養基的硒濃度,使耐硒培養基的硒濃度大于前一批次耐硒培養基的硒濃度,且耐硒培養基的硒濃度小于當前批次耐硒培養基的硒濃度,然后以調整硒濃度后的耐硒培養基按照步驟(2)的方法繼續進行耐硒培養。
優選的,所述方法中調整耐硒培養基的硒濃度是根據預定閾值或預定閾值的整數倍數進行調整,當食用菌菌種生長出現下列情形之一時:
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