[發明專利]培育食用菌高硒耐受性菌種的方法

無效

• 申請號: 201110402189.3
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN102511305A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 袁林喜;胡海濤
• 申請（專利權）人: 蘇州硒谷科技有限公司
• 主分類號: A01G1/04
• 分類號: A01G1/04;C05G1/00
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 范晴

1.?一種培育食用菌高硒耐受性菌種的方法，其特征在于所述方法包括以下步驟：

（1）根據食用菌菌種選擇適應食用菌菌種生長的培養基，將食用菌菌種接入培養基中進行試管菌種培養得到初始菌懸液；

（2）將培養基與硒源混合配制成梯度硒濃度的耐硒培養基，采用菌懸液接種方式將食用菌菌種接種到滅菌處理后的耐硒培養基上按照硒濃度從低到高的順序按照常用的食用菌菌種培養方式逐一硒濃度進行耐硒培養；首次耐硒培養使用的菌懸液為初始菌懸液，耐硒培養得到的菌懸液為下一硒濃度進行耐硒培養使用的菌懸液，依次類推；當食用菌菌種生長出現下列情形之一時：

i）菌株生長周期延長至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的一倍以上；

ii）菌種生物量下降至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的30%以下，甚至不生長；

iii）菌株明顯變色；

且相鄰批次耐硒培養基的硒濃度差值在預定閾值內時，停止耐硒培養，并確定食用菌的最佳耐受硒濃度為前一批次耐硒培養基的硒濃度；

（3）根據步驟（2）得到的食用菌的最佳耐受硒濃度采用菌懸液接種方式，進行連續轉接培養，并確定菌種的耐硒性狀穩定，即得到食用菌高硒耐受性菌種。

2.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中當食用菌菌種生長出現下列情形之一時：

i）菌株生長周期延長至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的一倍以上；

ii）菌種生物量下降至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的30%以下，甚至不生長；

iii）菌株明顯變色；

當相鄰批次耐硒培養基的硒濃度差值大于預定閾值時，調整耐硒培養基的硒濃度，使耐硒培養基的硒濃度大于前一批次耐硒培養基的硒濃度，且耐硒培養基的硒濃度小于當前批次耐硒培養基的硒濃度，然后以調整硒濃度后的耐硒培養基按照步驟（2）的方法繼續進行耐硒培養。

3.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中調整耐硒培養基的硒濃度是根據預定閾值或預定閾值的整數倍數進行調整，當食用菌菌種生長出現下列情形之一時：

i）菌株生長周期延長至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的一倍以上；

ii）菌種生物量下降至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的30%以下，甚至不生長；

iii）菌株明顯變色；

當相鄰批次耐硒培養基的硒濃度差值大于預定閾值時，調整耐硒培養基的硒濃度為當前批次耐硒培養基的硒濃度減去預定閾值或預定閾值的整數倍數后的硒濃度。

4.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中調整耐硒培養基的硒濃度是根據相鄰批次耐硒培養基的硒濃度進行調整，當食用菌菌種生長出現下列情形之一時：

i）菌株生長周期延長至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的一倍以上；

ii）菌種生物量下降至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的30%以下，甚至不生長；

iii）菌株明顯變色；

當相鄰批次耐硒培養基的硒濃度差值大于預定閾值時，調整耐硒培養基的硒濃度為相鄰批次耐硒培養基的硒濃度的平均值。

5.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中適應食用菌菌種生長的培養基為PDA綜合培養基。

6.?根據權利要求5所述的方法，其特征在于所述方法中PDA綜合培養基每100ml定容培養基中，所用原料為：馬鈴薯?20g，葡萄糖?2g，瓊脂?1.5g，??MgSO₄·7H₂O?0.15g，KH₂PO₄?0.3g，VB1?0.001g，pH調至6.0。

7.?根據權利要求6所述的方法，其特征在于所述方法中所述PDA綜合培養基的配制方法包括先將應加入的馬鈴薯與蒸餾水混勻，保持沸騰30分鐘后過濾，加入其他原料并充分混合后定容至所需體積的步驟。

8.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中硒源選自亞硒酸鈉、硒酸鈉或富硒酵母粉。

9.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法步驟（3）中進行連續轉接培養時，出現以下情形：

a)?菌種無法生長；

b)?菌種生長周期差異明顯；

c)?菌種生物量差別明顯；

d)?菌株明顯變色；

則判斷不滿足耐硒性狀穩定的條件；否則認為耐硒性狀穩定。

10.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法還包括在步驟（3）獲得食用菌高硒耐受性菌種后將所獲得的高硒耐受性菌種接入到含最佳耐硒濃度的含硒PDA綜合培養基的固體斜面上培養，并于-80?℃甘油管中作為高硒耐受性菌種保存的步驟。