[發明專利]制備高硒靈芝材料的方法

無效

• 申請號: 201110402186.X
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN102511304A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 袁林喜;胡海濤
• 申請（專利權）人: 蘇州硒谷科技有限公司
• 主分類號: A01G1/04
• 分類號: A01G1/04;C05G3/00
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 范晴

1.?一種制備高硒靈芝材料的方法，其特征在于所述方法包括以下步驟：

（1）將靈芝菌種接入PDA綜合培養基中進行試管菌種培養得到初始試管菌種；?

（2）將硒源與PDA綜合培養基混合分別配制成梯度硒濃度的含硒培養基，對含硒培養基進行滅菌處理，采用菌懸液接種方式將靈芝菌種接種到滅菌處理后的含硒培養基上按照硒濃度從低到高的順序按照常用的靈芝菌種培養方式逐一硒濃度進行耐硒培養得到耐硒培養菌種；首次耐硒培養使用的菌懸液為初始試管菌種，以后耐硒培養采用的菌懸液為當前硒濃度進行耐硒培養得到的耐硒培養菌種，依次類推；當靈芝菌種生長出現下列情形之一時：

i）菌株生長周期延長至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的一倍以上；

ii）菌種生物量下降至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的30%以下，甚至不生長；

iii）菌株明顯變色；

且相鄰批次耐硒培養基的硒濃度差值在預定閾值內時，停止耐硒培養，并確定靈芝的最佳耐受硒濃度為前一批次耐硒培養基的硒濃度和高耐硒靈芝菌種；

（3）將步驟（2）中獲得的高耐硒靈芝菌種接入經滅菌處理的含硒液體發酵培養基中，所述含硒液體發酵培養基的硒含量為500-1500?mg/L，培養條件為溫度為25～33℃，轉速為100～200轉/分的最優化條件下，進行靈芝液體富硒深層培養即得高硒靈芝材料。

2.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中當靈芝菌種生長出現下列情形之一時：

i）菌株生長周期延長至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的一倍以上；

ii）菌種生物量下降至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的30%以下，甚至不生長；

iii）菌株明顯變色；

當相鄰批次耐硒培養基的硒濃度差值大于預定閾值時，調整耐硒培養基的硒濃度，使耐硒培養基的硒濃度大于前一批次耐硒培養基的硒濃度，且耐硒培養基的硒濃度小于當前批次耐硒培養基的硒濃度，然后以調整硒濃度后的耐硒培養基按照步驟（2）的方法繼續進行耐硒培養。

3.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中調整耐硒培養基的硒濃度是根據預定閾值或預定閾值的整數倍數進行調整，當靈芝菌種生長出現下列情形之一時：

i）菌株生長周期延長至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的一倍以上；

ii）菌種生物量下降至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的30%以下，甚至不生長；

iii）菌株明顯變色；

當相鄰批次耐硒培養基的硒濃度差值大于預定閾值時，調整耐硒培養基的硒濃度為當前批次耐硒培養基的硒濃度減去預定閾值或預定閾值的整數倍數后的硒濃度。

4.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中調整耐硒培養基的硒濃度是根據相鄰批次耐硒培養基的硒濃度進行調整，當靈芝菌種生長出現下列情形之一時：

i）菌株生長周期延長至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的一倍以上；

ii）菌種生物量下降至前一硒濃度的耐硒培養基培養時的30%以下，甚至不生長；

iii）菌株明顯變色；

當相鄰批次耐硒培養基的硒濃度差值大于預定閾值時，調整耐硒培養基的硒濃度為相鄰批次耐硒培養基的硒濃度的平均值。

5.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中PDA綜合培養基每100ml定容培養基中，所用原料為：馬鈴薯?20g，葡萄糖?2g，瓊脂?1.5g，??MgSO₄·7H₂O?0.15g，KH₂PO₄?0.3g，VB1?0.001g，pH調至6.0。

6.?根據權利要求5所述的方法，其特征在于所述方法中所述PDA綜合培養基的配制方法包括先將應加入的馬鈴薯與蒸餾水混勻，保持沸騰30分鐘后過濾，加入其他原料并充分混合后定容至所需體積的步驟。

7.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中硒源選自亞硒酸鈉、硒酸鈉或富硒酵母粉。

8.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述方法中梯度硒濃度的含硒培養基為硒濃度分別為10、30、50、80、100、120，140、160?mg/L的含硒培養基；當靈芝菌種完成160?mg/L含硒培養基的培養，制備高耐硒靈芝菌種。