[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110400705.9
• 申請(qǐng)日: 2011-12-06
• 公開（公告）號(hào): CN103094069A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高翎志;蔡居宏;黃昆財(cái)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，具體而言是一種可提高面板開口率的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

一般液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)中，必須配置儲(chǔ)存電容來儲(chǔ)存像素?cái)?shù)據(jù)至下次更新的時(shí)間。所述儲(chǔ)存電容通常是由兩金屬層夾置而形成，由于所述兩金屬層系不透光，因此所述儲(chǔ)存電容的配置必須犧牲面板的開口率，使得開口率降低。

圖1顯示的是現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖1所示的像素結(jié)構(gòu)為一種平面內(nèi)轉(zhuǎn)換（in?plane?switching,?IPS）架構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)。所述像素結(jié)構(gòu)由閘極線111及數(shù)據(jù)線151交錯(cuò)而形成，所述像素結(jié)構(gòu)包含一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)19、一像素電極171、一共享電極181及一儲(chǔ)存電容10。所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)19包含一閘極113、一源極152和一汲極153。薄膜晶體管結(jié)構(gòu)19的閘極113電性連接至閘極線111，源極152電性連接至數(shù)據(jù)線151。像素電極171透過一接觸窗161與薄膜晶體管結(jié)構(gòu)19的汲極153電性連接，共享電極181透過另一接觸窗（未圖示）與共享線112電性連接。像素電極171與共享電極181位在同一層，為IPS架構(gòu)的電極配置，其兩者間形成的電場(chǎng)可使液晶分子偏轉(zhuǎn)。

儲(chǔ)存電容10包含一下電極11和一上電極15，下電極11與上電極15之間設(shè)有一絕緣層（未圖示），下電極11由共享線112往上下兩側(cè)延伸而形成，上電極15自汲極153延伸至下電極11上方。儲(chǔ)存電容10的下電極11和上電極15皆為不透光的金屬層，如前所述，此儲(chǔ)存電容的配置會(huì)降低面板的開口率。

另一方面，在像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，必須維持一定大小的儲(chǔ)存電容，儲(chǔ)存電容過小會(huì)導(dǎo)致饋通電壓（feedthrough?voltage）過大，而導(dǎo)致畫面閃爍的情形發(fā)生。而在已知的像素結(jié)構(gòu)中，增加儲(chǔ)存電容勢(shì)必需要增加上電極和下電極的面積，如此會(huì)使得開口率降低，而影響面板的品位。

因此，如何開發(fā)一種像素結(jié)構(gòu)，使其在維持一定大小的儲(chǔ)存電容的情形下，能夠不降低開口率，或更甚者能夠提升開口率，實(shí)為目前產(chǎn)業(yè)界企須努力的方向。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的第一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，在不降低開口率的情形下增加儲(chǔ)存電容來降低饋通電壓，避免顯示畫面閃爍的情形發(fā)生。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，用以開發(fā)一種混合IPS與FFS技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)。

為達(dá)前述目的，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包含：形成一圖案化第一金屬層于一基板上，所述圖案化第一金屬層包含一共享線及一閘極；形成一圖案化第一透明導(dǎo)電層，所述圖案化第一透明導(dǎo)電層的一部份覆蓋所述共享線，以與所述共享線電性連接；形成一第一絕緣層以覆蓋所述圖案化第一金屬層及所述圖案化第一透明導(dǎo)電層；形成一圖案化半導(dǎo)體層于所述閘極上方的第一絕緣層上；形成一圖案化第二金屬層，所述圖案化第二金屬層包含一源極及一汲極，其中所述源極與汲極分別位于所述圖案化半導(dǎo)體層上的部份區(qū)域，所述閘極、圖案化半導(dǎo)體層、源極及汲極構(gòu)成一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；形成一第二絕緣層；圖案化所述第一絕緣層及所述第二絕緣層，以形成一第一接觸窗及一第二接觸窗；以及形成一圖案化第二透明導(dǎo)電層，其包含一像素電極及一共享電極，其中所述像素電極透過所述第一接觸窗與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的汲極電性連接，所述共享電極透過所述第二接觸窗與所述圖案化第一透明導(dǎo)電層電性連接。

本發(fā)明并提供一種像素結(jié)構(gòu)，其是由一閘極線及一數(shù)據(jù)線所定義，所述像素結(jié)構(gòu)包含：一共享線，提供一共同電壓；一圖案化第一透明導(dǎo)電層，其與所述共享線電性連接，并具有一第一共享電極，延伸至所述像素結(jié)構(gòu)的顯示區(qū)；一圖案化第二透明導(dǎo)電層，位在所述圖案化第一透明導(dǎo)電層上方，所述圖案化第二透明導(dǎo)電層具有一像素電極及一第二共享電極；至少一絕緣層，設(shè)置于所述圖案化第一透明導(dǎo)電層與所述圖案化第二透明導(dǎo)電層之間；以及一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，與所述圖案化第一透明導(dǎo)電層及所述圖案化第二透明導(dǎo)電層設(shè)置在相同的基板上，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包含一閘極、一源極及一汲極，所述閘極電性連接至所述閘極線，所述源極電性連接至所述數(shù)據(jù)線；其中所述像素電極電性連接至所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的汲極，所述第二共享電極電性連接至所述第一共享電極，所述像素電極、第一共享電極及第二共享電極形成的電場(chǎng)會(huì)使液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，而且所述像素電極與所述第一共享電極間形成一儲(chǔ)存電容。