[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110400705.9
• 申請日: 2011-12-06
• 公開（公告）號: CN103094069A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高翎志;蔡居宏;黃昆財
• 申請（專利權(quán)）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含：

形成一圖案化第一金屬層于一基板上，所述圖案化第一金屬層包含一共享線及一閘極；

形成一圖案化第一透明導電層，所述圖案化第一透明導電層的一部份覆蓋該共享線，以與所述共享線電性連接；

形成一第一絕緣層以覆蓋所述圖案化第一金屬層及所述圖案化第一透明導電層；

形成一圖案化半導體層于所述閘極上方的第一絕緣層上；

形成一圖案化第二金屬層，所述圖案化第二金屬層包含一源極及一汲極，其中所述源極與所述汲極分別位于所述圖案化半導體層上的部份區(qū)域，所述閘極、圖案化半導體層、源極及汲極構(gòu)成一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；

形成一第二絕緣層；

圖案化第一絕緣層及所述第二絕緣層，以形成一第一接觸窗及一第二接觸窗；以及

形成一圖案化第二透明導電層，其包含一像素電極及一共享電極，其中所述像素電極透過所述第一接觸窗與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的汲極電性連接，所述共享電極透過所述第二接觸窗與所述圖案化第一透明導電層電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成所述圖案化第一透明導電層的步驟包含：

沉積一第一透明導電層；

形成一第二圖案化光阻層于所述第一透明導電層上；

進行蝕刻制程，以形成所述圖案化第一透明導電層，其中所述圖案化第一透明導電層的一部份與所述共享線重疊，并且所述圖案化第一透明導電層自所述共享線的一部份延伸至所述像素結(jié)構(gòu)的顯示區(qū)；以及

移除所述第二圖案化光阻層。

3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，圖案化所述第一絕緣層及所述第二絕緣層的步驟包含：

形成一第五圖案化光阻層于所述第二絕緣層上；

進行蝕刻制程，去除部份所述第二絕緣層及所述第一絕緣層，以形成所述第一接觸窗暴露出所述圖案化第二金屬層中與所述汲極電性連接的部份，并形成所述第二接觸窗以暴露出部份所述圖案化第一透明導電層；以及

移除所述第五圖案化光阻層。

4.一種像素結(jié)構(gòu)，是由一閘極線及一數(shù)據(jù)線所定義，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)包含：

一共享線，提供一共同電壓；

一圖案化第一透明導電層，與所述共享線電性連接，并具有一第一共享電極，延伸至所述像素結(jié)構(gòu)的顯示區(qū)；

一圖案化第二透明導電層，位于所述圖案化第一透明導電層上方，所述圖案化第二透明導電層具有一像素電極及一第二共享電極；

至少一絕緣層，設(shè)置于所述圖案化第一透明導電層與所述圖案化第二透明導電層之間；以及

一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，與所述圖案化第一透明導電層及所述圖案化第二透明導電層設(shè)置在相同的基板上，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包含一閘極、一源極及一汲極，所述閘極電性連接至所述閘極線，所述源極電性連接至所述數(shù)據(jù)線。

5.如權(quán)利要求4項所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極電性連接至所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的汲極，所述第二共享電極電性連接至該第一共享電極，所述像素電極、第一共享電極及第二共享電極形成的電場會使液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，而且所述像素電極與所述第一共享電極間形成一儲存電容。

6.如權(quán)利要求4項所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)更包含一金屬層，自所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的汲極延伸至所述共享線上方的部份區(qū)域形成一上電極，其中所述共享線的部份區(qū)域形成一下電極，所述上電極及所述下電極構(gòu)成另一儲存電容。

7.如權(quán)利要求4項所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圖案化第一透明導電層的一部份與所述共享線重疊。

8.如權(quán)利要求4項所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圖案化第二透明導電層的所述像素電極是透過一第一接觸窗與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的所述汲極電性連接。

9.如權(quán)利要求4項所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圖案化第二透明導電層的所述第二共同電極是透過一第二接觸窗與所述圖案化第一透明導電層的所述第一共同電極電性連接。

10.如權(quán)利要求4項所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述圖案化第一透明導電層的所述第一共同電極具有一鏤空結(jié)構(gòu)，其對應(yīng)于所述圖案化第二透明導電層的所述第二共享電極而設(shè)置。