[發明專利]薄膜晶體管基板及半穿透半反射式液晶顯示器的制造方法無效
| 申請號: | 201110399984.1 | 申請日: | 2011-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN102403271A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 郭晉川 | 申請(專利權)人: | 華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;G03F7/00;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
| 地址: | 215217 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 穿透 反射 液晶顯示器 制造 方法 | ||
技術領域
本發明是有關于一種半穿透半反射式液晶顯示器薄膜晶體管基板的制造方法,特別是有關于一種半穿透半反射式液晶顯示器薄膜晶體管基板的制造方法。
背景技術
液晶顯示面板具有低功率消耗和外型薄的特點,被廣泛地用在各種電子產品中,如手提式計算機、數字相機、手機等產品,一般而言,液晶顯示面板分為穿透式、反射式及半穿透半反射,穿透式液晶顯示器是利用背光模組作為其光源,反射式液晶顯示器是利用外在環境光作為其光源,而半穿透半反射式液晶顯示器是同時使用背光模組和外在環境光作為其光源。
先前技術可知,在制造半穿透半反射式液晶顯示器的薄膜晶體管基板時,會使用八道光罩來制作薄膜晶體管基板。參考圖1A,利用五道光罩將一薄膜晶體管22及一穿透電極23形成于一基板21上,其中基板21定義有一穿透區24和一反射區25。參考圖1B,將有機光阻26涂布于薄膜晶體管22及穿透電極23上。參考圖1C,利用第六道光罩27,并使用較高曝光量28將位于穿透區24內的有機光阻26曝穿。參考圖1D,經顯影后,形成一貫穿開口29于穿透區24內。參考圖1E,利用第七道光罩30,并使用較低曝光量31將位于反射區25內的有機光阻26曝光。參考圖1F,經顯影后,形成多個非貫穿孔32和多個凸塊33于反射區25內。參考圖1G,再使用烤箱的熱風將凸塊33進行固化(curing),因有機光阻26的熱回流特性,而形成弧形表面34。參考圖1H,形成一反射性金屬薄膜,然后利用第八道光罩,再將反射性金屬薄膜圖案化成一反射電極35,且反射電極35形成于反射區25內的弧形表面34上,如此以完成薄膜晶體管基板41。
由上述可知為了要制作出半穿透半反射式液晶顯示器的薄膜晶體管基板時,該制程會使用到八道光罩,而每增加一道光罩制作時間和成本也會增加,反之減少光罩數目就可降低液晶顯示面板生產時間和成本。
因此,便有需要提供一種薄膜晶體管基板的制造方法,能夠解決前述的問題。
發明內容
本發明提供一種薄膜晶體管基板的制造方法,其步驟包含:提供一基板,其定義有多個像素區域,每個像素區域形成有一薄膜晶體管,每個像素區域包含一穿透區及一反射區;形成一光阻層在該薄膜晶體管上;只使用一光罩,曝光該光阻層,并顯影該曝光后的光阻層,以使該光阻層同時形成有一貫穿開口、多個貫穿孔及凸塊(bump?pattern),其中該貫穿開口位于該穿透區,該些貫穿孔及凸塊依序排列而位于該反射區,且該貫穿開口的尺寸大于該貫穿孔的尺寸;利用熱處理固化制程將該些凸塊進行固化,使該些凸塊形成有一弧形表面;以及形成一反射電極于該弧形表面。
根據本發明的薄膜晶體管基板可知,本發明只需要一道光罩曝光顯影制程及一個熱處理固化制程就可將光阻層形成有弧形表面的反射區及無光阻殘留的穿透區,亦即本發明只使用七道光罩來制作具雙重液晶盒間隙(dual?cell?gap)的半穿透半反射式液晶顯示器的薄膜晶體管基板。相較于先前技術需要兩道光罩曝光顯影制程及一個熱處理固化制程才能將有機光阻形成有弧形表面,亦即先前技術需要使用八道光罩來制作薄膜晶體管基板。因此,本發明確實可以大幅降低薄膜晶體管基板的生產成本,并提高其產量。
為了讓本發明的上述和其它目的、特征、和優點能更明顯,下文將配合所附圖示,作詳細說明如下。
附圖說明
圖1A到圖1H為先前技術的薄膜晶體管基板的制造方法的剖面示意圖;
圖2A到圖2F為本發明的一實施例的薄膜晶體管基板的制造方法的剖面示意圖;
圖3為本發明的一實驗結果圖,其顯示控制熱板加熱時間為0、50、80、110?秒,貫穿孔與貫穿開口的回填變化;以及
圖4為本發明的一實施例的半穿透半反射式液晶顯示器的制造方法的剖面示意圖。
具體實施方式
請參考圖2A至圖2F,其顯示本發明的一實施例的薄膜晶體管基板的制造方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





