[發明專利]薄膜晶體管基板及半穿透半反射式液晶顯示器的制造方法無效
| 申請號: | 201110399984.1 | 申請日: | 2011-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN102403271A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 郭晉川 | 申請(專利權)人: | 華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;G03F7/00;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
| 地址: | 215217 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 穿透 反射 液晶顯示器 制造 方法 | ||
1.一種薄膜晶體管基板的制造方法,其特征在于,包含下列步驟:
提供一基板,其定義有多個像素區域,每個像素區域形成有一薄膜晶體管,每個像素區域包含一穿透區及一反射區;
形成一光阻層在該薄膜晶體管上;
只使用一光罩,曝光該光阻層,并顯影該曝光后的光阻層,以使該光阻層同時形成有一貫穿開口、多個貫穿孔及凸塊,其中該貫穿開口位于該穿透區,該些貫穿孔及凸塊依序排列而位于該反射區,且該貫穿開口的尺寸大于該貫穿孔的尺寸;以及
利用一熱處理固化制程將該些凸塊進行固化,使該些凸塊形成有一弧形表面。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法,其特征在于,該熱處理固化制程使該光阻層產生熱回流現象,讓尺寸較小的該些貫穿孔回填,而尺寸較大的該貫穿開口則可維持原曝穿狀態。
3.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法,其特征在于,還包含下列步驟:?形成一反射電極于該弧形表面。
4.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法,其特征在于,該熱處理固化制程為一烤箱的熱風或一熱板的熱傳導。
5.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法,其特征在于,該光阻層藉由一涂布或一沉積制程而形成在該薄膜晶體管上。
6.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法,其特征在于,該光阻層為一有機光阻。
7.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法,其特征在于,部份的該些貫穿孔裸露出該薄膜晶體管。
8.一種半穿透半反射式液晶顯示器的制造方法,其特征在于,包含下列步驟:
提供一彩色濾光片基板及如權利要求2所述的該薄膜晶體管基板;
配置一液晶層于該彩色濾光片基板與薄膜晶體管基板之間,如此以完成一液晶面板;
配置一背光模組于該液晶面板下方,其中該背光模組的光線通過該穿透區而作為光源,且外在環境光藉由位于該反射區內的反射電極的反射而作為光源,如此以完成一半穿透半反射式液晶顯示器。
9.如權利要求8所述的半穿透半反射式液晶顯示器的制造方法,其特征在于,該熱處理固化制程為一烤箱的熱風或一熱板的熱傳導。
10.如權利要求8所述的半穿透半反射式液晶顯示器的制造方法,其特征在于,部份的該些貫穿孔裸露出該薄膜晶體管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





