[發明專利]一種發光二極管封裝結構的制造方法無效
| 申請號: | 201110399259.4 | 申請日: | 2011-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN102437268A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發明(設計)人: | 殷仕樂 | 申請(專利權)人: | 深圳市瑞豐光電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司: | 深圳市維邦知識產權事務所 44269 | 代理人: | 黃莉 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光二極管 封裝 結構 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體發光元件,尤其涉及一種發光二極管封裝結構的制造方法。
背景技術
目前,發光二極管(Light?Emitting?Diode,LED)因具有功耗低、壽命長、體積小及亮度高等特性已經被廣泛應用到很多領域。
傳統的白光發光二極管為采用氮化鎵藍光芯片,在封裝時用混有熒光粉的膠體包裹起來,通電發藍光后激發熒光粉后轉化黃光與未能被激發的藍光混合成白光的方式發射出來。該藍光芯片的制造工藝為在基板上采用金屬有機化合物氣相沉積技術(MOCVD)工藝生長,氮化鎵外延發光層后經芯片化學、黃光、蒸鍍、蝕刻等工藝制作金屬電極,再經研磨、拋光、切割等工藝制作成單顆的芯片。現有的一種白光發光二極管封裝結構的制作工藝為:將單顆的芯片采用封裝工藝將芯片固定到電路板、陶瓷基板或者金屬支架上經打線工藝再經熒光粉點膠封膠工藝后制作成白光發光二極管封裝結構。該種工藝生產白光發光二極管封裝結構較為復雜,出光率也較低,且因為芯片表面熒光粉厚度不一,即芯片表面受激發熒光粉的量不一,藍光芯片激發熒光粉發出的黃光與未激發熒光粉溢出的藍光混合的比例不一,必然會存在光斑現象。
發明內容
有鑒于此,提供一種發光二極管封裝結構的制造方法,以解決現有發光二極管封裝結構中熒光粉厚度不均勻的技術問題。
本發明是這樣實現的:
一種發光二極管封裝結構的制造方法,其包括以下步驟:
將間隔設置的多個發光二極管芯片固定于一個承載平面上,所述每個發光二極管芯片均具有一遠離所述承載平面的出光面;
采用一個擋片模具扣在所述承載平面上,該擋片模具具有多個與所述多個發光二極管芯片的出光面對應的開口,以露出所述多個發光二極管芯片的出光面,所述每個開口內壁各處的厚度相同;
在所述每個開口內形成一熒光粉層,并使所述熒光粉層遠離發光二極管芯片的頂面與所述開口遠離所述發光二極管芯片的端面平齊;及
移除所述擋片模具,并將具有熒光粉層的發光二極管芯片封裝于發光二極管封裝結構中。
在所述發光二極管封裝結構的制造方法中,通過采用擋片模具來控制熒光粉層的厚度,能夠使得熒光粉層的厚度更加均勻,從而可以避免出現現有發光二極管封裝結構中熒光粉厚度不均勻的問題,避免發光二極管封裝結構表面出現光斑現象。
附圖說明
以下結合附圖描述本發明的實施例,其中:
圖1是本發明實施例提供的發光二極管封裝結構的制造方法流程圖;及
圖2-圖6是圖1的發光二極管封裝結構的制造方法中各步驟的結構示意圖。
具體實施方式
以下基于附圖對本發明的具體實施例進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅作為實施例,并不用于限定本發明的保護范圍。
請參閱圖1至圖6,本發明實施例提供的一種發光二極管封裝結構100的制造方法包括以下步驟。
將間隔設置的多個發光二極管芯片20固定于一個承載平面200上,所述每個發光二極管芯片20均具有一遠離所述承載平面200的出光面21,請參閱圖2及圖3,所述圖3為沿圖2中的III-III的剖視圖。優選地,所述間隔設置的多個發光二極管芯片20是通過切割一個發光二極管方片后,擴晶成一定間距形成。所述發光二極管方片切割時放于一個能夠拉伸的薄膜上,切割后,通過拉伸所述薄膜實現擴晶。所述承載平面200可為所述薄膜的一個表面或一個承載模具的承載平面。所述每個發光二極管芯片20遠離承載平面200的表面上還具有電極22。
如圖4所示,采用一個擋片模具300扣在所述承載平面200上,該擋片模具300具有多個與所述多個發光二極管芯片20的出光面21對應的開口301,以露出所述多個發光二極管芯片20的出光面21,所述每個開口301內壁各處的厚度相同。本實施例中,所述擋片模具200扣在所述承載平面200上時,其遠離承載平面200的表面與所述發光二極管芯片20的出光面21平行。所述擋片模具200扣在所述承載平面200上時,遮擋住所述發光二極管芯片20的電極22。
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