[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110399259.4 | 申請日: | 2011-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN102437268A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 殷仕樂 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市瑞豐光電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司: | 深圳市維邦知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 44269 | 代理人: | 黃莉 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 發(fā)光二極管 封裝 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其包括以下步驟:
將間隔設(shè)置的多個(gè)發(fā)光二極管芯片固定于一個(gè)承載平面上,所述每個(gè)發(fā)光二極管芯片均具有一遠(yuǎn)離所述承載平面的出光面;
采用一個(gè)擋片模具扣在所述承載平面上,該擋片模具具有多個(gè)與所述多個(gè)發(fā)光二極管芯片的出光面對應(yīng)的開口,以露出所述多個(gè)發(fā)光二極管芯片的出光面,所述每個(gè)開口內(nèi)壁各處的厚度相同;
在所述每個(gè)開口內(nèi)形成一熒光粉層,并使所述熒光粉層遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片的頂面與所述開口遠(yuǎn)離所述發(fā)光二極管芯片的端面平齊;及
移除所述擋片模具,并將具有熒光粉層的發(fā)光二極管芯片封裝于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述間隔設(shè)置的多個(gè)發(fā)光二極管芯片是通過切割一個(gè)發(fā)光二極管方片后,擴(kuò)晶成一定間距形成。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述發(fā)光二極管方片切割時(shí)放于一個(gè)能夠拉伸的薄膜上,切割后,通過拉伸所述薄膜實(shí)現(xiàn)擴(kuò)晶。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述發(fā)光二極管芯片為藍(lán)光發(fā)光二極管芯片,所述熒光粉層中的熒光粉為黃色熒光粉。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述擋片模具扣在所述承載平面上時(shí),其遠(yuǎn)離承載平面的表面與所述發(fā)光二極管芯片的出光面平行。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,在所述開口內(nèi)形成一熒光粉層的步驟包括:將硅膠與熒光粉以一定比例混合好之后在發(fā)光二極管芯片的出光面上形成熒光粉層,然后固化所述熒光粉層。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述硅膠與熒光粉混合后通過模具模壓成型或者涂覆形成所述熒光粉層。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述熒光粉層通過加熱或烘烤固化。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述發(fā)光二極管芯片遠(yuǎn)離承載平面的表面上還具有電極,所述擋片模具扣在所述承載平面上時(shí),遮擋住所述電極。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板,所述封裝基板包括電氣分隔的兩個(gè)金屬支架,所述發(fā)光二極管芯片貼設(shè)于所述兩個(gè)金屬支架其中之一上。
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