[發明專利]CMOS一次性可編程只讀存儲器及其制造方法

無效

• 申請號: 201110398708.3
• 申請日: 2011-12-05
• 公開（公告）號: CN102427066A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 劉建華
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8246
• 分類號: H01L21/8246;H01L27/112
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種CMOS一次性可編程只讀存儲器(200)的制造方法，所述存儲器(200)包括控制管(201)和存儲管(202)，所述制造方法包括步驟：

提供P型硅襯底(203)，其中形成有N阱(204)；

在所述N阱(204)的兩側形成局部氧化隔離(205)，以及在所述P型硅襯底(203)上、所述N阱(204)的上表面形成所述控制管(201)和所述存儲管(202)的柵極氧化層(206、207)、柵極(208、209)和輕摻雜漏(211、212、213)；

在所述存儲器(200)的表面依次淀積二氧化硅層(214)和氮化硅層(215)；

采用干法刻蝕法刻蝕所述二氧化硅層(214)和所述氮化硅層(215)，在所述柵極(208、209)兩側分別形成肩型側墻(216)；以及

對所述存儲器(200)進行后續源/漏注入工藝。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法在源/漏注入工藝之后還包括步驟：

在所述存儲器(200)的表面依次淀積第一阻擋層(217)和第二阻擋層(218)；

采用半導體光刻技術，用光刻膠(219)將所述存儲管(202)的柵極(209)上方的所述第一阻擋層(217)和所述第二阻擋層(218)遮蓋，同時將所述控制管(201)的柵極(208)與各源/漏區域打開；

依次采用干法刻蝕法和濕法刻蝕法將未被所述光刻膠(219)遮蓋的所述第二阻擋層(218)和所述第一阻擋層(217)去除；

采用灰化法去除所述光刻膠(219)；以及

在所述存儲器(200)的表面淀積金屬并經退火工藝，在所述控制管(201)的柵極(208)與各源/漏區域形成金屬硅化物接觸(220)。

3.根據權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述控制管(201)和所述存儲管(202)分別為一個N管與一個P管，或者兩個均是P管。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅層(214)為低壓正硅酸乙酯。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅層(214)的厚度為所述氮化硅層(215)的厚度大于

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一阻擋層(217)為二氧化硅，所述第二阻擋層(218)為氮化硅。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅為低壓正硅酸乙酯。

8.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一阻擋層(217)的厚度大于所述第二阻擋層(218)的厚度為

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述金屬包括鈦，所述金屬硅化物接觸(220)包括鈦硅化物。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述P型硅襯底(203)包括P型硅襯底本體和位于其上的P型硅外延層。

11.一種CMOS一次性可編程只讀存儲器(200)，分為控制管(201)和存儲管(202)，所述存儲器(200)包括：

P型硅襯底(203)，其中形成有N阱(204)；

局部氧化隔離(205)，位于所述N阱(204)的兩側；

所述控制管(201)和所述存儲管(202)的柵極氧化層(206、207)、柵極(208、209)和輕摻雜漏(211、212、213)，位于所述P型硅襯底(203)上、所述N阱(204)的上表面；

肩型側墻(216)，分別位于所述柵極(208、209)的兩側，所述肩型側墻(216)具有兩層，包括內側的二氧化硅層(214)和外側的氮化硅層(215)；以及

所述控制管(201)和所述存儲管(202)的源/漏，位于所述輕摻雜漏(211、212、213)中。