[發(fā)明專利]曝光裝置及曝光方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110398588.7 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102591156A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 施明宏;許哲豪;薛景峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/20 | 分類號(hào): | G03F7/20 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 歐陽啟明 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 曝光 裝置 方法 | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及一種曝光技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種曝光裝置及曝光方法。
【背景技術(shù)】
光刻技術(shù)(photo-litho?graphy)已被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品的制程中,利用光刻技術(shù)可以對(duì)光阻(PR)曝光,以形成不同圖案(pattern),但是當(dāng)光阻的圖案的線距(line?space)較小時(shí),其光透過率較小,導(dǎo)致部分的光阻沒有被曝開而連接在一起,因此,光刻后所形成的圖案無法符合預(yù)設(shè)的圖案,而大幅地限制電子產(chǎn)品的性能表現(xiàn)。
特別是,在目前的許多電子裝置中,例如液晶顯示裝置,其需要不斷減小圖案的線距,以提升電子裝置的性能。
故,有必要提供一種曝光裝置及曝光方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明提供一種曝光裝置及曝光方法,以縮小光阻層圖案的線距。
本發(fā)明的主要目的在于提供一種曝光裝置,用于對(duì)一透光基板上的光阻層進(jìn)行曝光,所述曝光裝置包括:
光掩模,設(shè)置于所述透光基板的一側(cè),其中所述光阻層是位于所述透光基板的相對(duì)一側(cè);
曝光光源,用于提供光線至所述光阻層,其中所述曝光光源所提供的光線是穿過所述光掩模及所述透光基板來到達(dá)所述光阻層;以及
反射板,設(shè)置于所述透光基板的所述相對(duì)一側(cè),且面對(duì)于所述光阻層,用于將穿過所述透光基板及所述光阻層的光線反射回所述光阻層。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種曝光方法,用于對(duì)一透光基板上的光阻層進(jìn)行曝光,所述曝光方法包括如下步驟:提供光掩模及反射板,其中所述光掩模是設(shè)置于所述透光基板的一側(cè),所述反射板是設(shè)置于所述透光基板的所述相對(duì)一側(cè),且面對(duì)于所述光阻層;利用曝光光源來提供光線至所述光阻層,其中所述曝光光源所提供的光線是穿過所述光掩模及所述透光基板來到達(dá)所述光阻層;以及利用反射板來將穿過所述透光基板及所述光阻層的光線反射回所述光阻層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述光掩模包括透光開口,所述透光開口小于3um。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述透光開口等于或小于2um。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述反射板的反射表面為平坦表面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述反射板具有多個(gè)凸面結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述反射板具有多個(gè)凹面結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,當(dāng)進(jìn)行曝光時(shí),所述反射板是平行于所述透光基板上的所述光阻層。
通過本發(fā)明的曝光裝置及曝光方法,可確保光阻層被光線照射的部分可完全曝光,避免因預(yù)設(shè)圖案線距過小或深寬比過高而無法充分曝光的情形。因此,通過本發(fā)明的曝光裝置及曝光方法,可縮小所期望的圖案線距,以提升電子裝置的性能。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉優(yōu)選實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
圖1顯示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的曝光裝置的示意圖;
圖2顯示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的圖案化后光阻層的示意圖;
圖3顯示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的蝕刻后透明電極層的示意圖;
圖4顯示依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的曝光裝置的示意圖;以及
圖5顯示依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的曝光裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式,用于例示本發(fā)明可用于實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用于說明及理解本發(fā)明,而非用于限制本發(fā)明。
在圖中,結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。
請(qǐng)參照?qǐng)D1,其顯示依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的曝光裝置的示意圖。本實(shí)施例的曝光裝置100是用于透光基板101上的光阻層102進(jìn)行曝光,以圖案化此光阻層102。其中,透光基板101例如為可透光的玻璃基板或可撓性基板。光阻層102的材料可為正光阻(Positive?Resist)材料或負(fù)光阻(Negative?Resist)材料。值得注意的是,在進(jìn)行曝光之前,光阻層102與透光基板101之間可具有一或多層結(jié)構(gòu)103,而這一或多層結(jié)構(gòu)103優(yōu)選為透光結(jié)構(gòu),以確保光線可由光阻層102穿透至透光基板101。
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