[發明專利]像素結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201110396188.2
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN102520556A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 魏全生;黃朝祥;蔡五柳;林志宏;陳茂松
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種像素結構，包括：

一第一電極，位于一基板上；

一第一絕緣層，覆蓋該第一電極；

一柵極，位于該第一絕緣層上；

一第二電極，位于該第一電極的上方的該第一絕緣層上；

一第二絕緣層，覆蓋該柵極以及該第二電極；

一半導體層，位于該柵極上方的該第二絕緣層上；

一源極以及一漏極，位于該半導體層上，其中該柵極、該半導體層、該源極以及該漏極構成一薄膜晶體管；

一第三電極，位于該第二電極的上方的該第二絕緣層上，其中該第三電極與該第一電極電性連接，且該第一電極、該第二電極以及該第三電極構成一電容器；

一第三絕緣層，覆蓋該源極、該漏極以及該第三電極；以及

一像素電極，位于該第三絕緣層上且與該漏極電性連接。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，更包括一遮光部，其對應設置于該柵極的下方，且該遮光部被該第一絕緣層覆蓋。

3.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于，該遮光部從該第一電極延伸至該柵極的下方。

4.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于，該遮光部遮蔽該柵極的其中一側邊且未延伸至該數據線的下方。

5.如權利要求2所述的像素結構，其特征在于，該遮光部遮蔽該柵極的兩側邊且延伸至該數據線的下方。

6.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該漏極與該第三電極連接在一起。

7.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，該第三絕緣層中具有一接觸窗開口，該像素電極通過該接觸窗與該第三電極以及該漏極電性連接。

8.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該第一絕緣層以及該第二絕緣層中具有一接觸窗開口，且該第三電極通過該接觸窗開口與該第一電極電性連接。

9.如權利要求7所述的像素結構，其特征在于，該接觸窗位開口于該柵極以及該第二電極之間。

10.一種像素結構的制造方法，包括：

在一基板上形成一第一導電層，該第一導電層包括一第一電極；

在該第一導電層上形成一第一絕緣層；

于該第一絕緣層上形成一第二導電層，該第二導電層包括一柵極以及一第二電極，且該第二電極位于該第一電極的上方；

在該第二導電層上形成一第二絕緣層；

于該柵極上方的該第二絕緣層上形成一半導體層；

于該第二絕緣層上形成一第三導電層，該第三導電層包括一源極、一漏極以及一第三電極，該源極與該漏極位于該半導體層上，該第三電極位于該第二電極的上方且與該第一電極電性連接，其中該柵極、該半導體層、該源極以及該漏極構成一薄膜晶體管，且該第一電極、該第二電極以及該第三電極構成一電容器；

于該第三導電層上形成一第三絕緣層；以及

于該第三絕緣層上形成一像素電極，其中該像素電極與該漏極電性連接。

11.如權利要求10所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該第一導電層更包括一遮光部，其對應設置于該柵極的下方。

12.如權利要求11所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該遮光部從該第一電極延伸至該柵極的下方。

13.如權利要求11所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該遮光部遮蔽該柵極的其中一側邊且未延伸至該數據線的下方。

14.如權利要求11所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該遮光部遮蔽該柵極的兩側邊且延伸至該數據線的下方。

15.如權利要求10所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該漏極與該第三電極連接在一起。

16.如權利要求15所述的像素結構的制造方法，其特征在于，在形成該第三絕緣層之后，更包括在該第三絕緣層中形成一接觸窗開口，以暴露出該第三電極，且該像素電極通過該接觸窗開口與該第三電極電性連接。

17.如權利要求10所述的像素結構的制造方法，其特征在于，于形成該第二絕緣層之后，更包括在該第一絕緣層以及該第二絕緣層中形成一接觸窗開口，以暴露出該第一電極，且該第三電極通過該接觸窗開口與該第一電極電性連接。

18.如權利要求17所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該接觸窗開口位于該柵極以及該第二電極之間。