[發明專利]像素結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201110396188.2
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN102520556A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 魏全生;黃朝祥;蔡五柳;林志宏;陳茂松
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

技術領域

本發明是有關于一種像素結構及其制造方法。

背景技術

一般而言，液晶顯示器的像素結構包括薄膜晶體管與像素電極。薄膜晶體管用來作為液晶顯示單元的開關元件。而為了控制個別的像素結構，通常會經由對應的掃描線與數據線來選取特定的像素，并通過提供適當的操作電壓，以顯示對應此像素的顯示數據。另外，像素結構中還包括儲存電容器(storagecapacitor)，使得像素結構具有電壓保持的功能。也就是，儲存電容器能夠儲存上述所施加的操作電壓，以維持像素結構顯示畫面的穩定性。

為了在像素結構中設置儲存電容器，一般會需要在像素結構中形成電容電極。然而，若是為了增加儲存電容器的電容值而增加電容電極的面積，將會降低像素結構的開口率。

目前已經有一種像素結構是將電容電極設計在數據線的下方，以增加像素結構的開口率。然而，因電容電極與數據線重疊會增加像素結構的負載(loading)，因此，此種像素結構會增加顯示面板驅動所需的電源而較為耗電。

發明內容

本發明提供一種像素結構及其制造方法，其可以使像素結構具有高開口率且不會增加像素結構的負載。

本發明提出一種像素結構，其包括第一電極、第一絕緣層、柵極、第二電極、第二絕緣層、半導體層、源極以及漏極、第三電極、第三絕緣層以及像素電極。第一電極位于基板上。第一絕緣層覆蓋第一電極。柵極位于第一絕緣層上。第二電極位于第一電極的上方的第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋柵極以及第二電極。半導體層位于柵極上方的第二絕緣層上。源極以及漏極位于半導體層上，其中柵極、半導體層、源極以及漏極構成薄膜晶體管。第三電極位于第二電極的上方的第二絕緣層上，其中第三電極與第一電極電性連接，且第一電極、第二電極以及第三電極構成電容器。第三絕緣層覆蓋源極、漏極以及第三電極。像素電極位于第三絕緣層上且與漏極電性連接。

本發明另提出一種像素結構的制造方法。此方法包括在基板上形成第一導電層，第一導電層包括第一電極。在第一導電層上形成第一絕緣層。于第一絕緣層上形成第二導電層，且第二導電層包括柵極以及第二電極，且第二電極位于第一電極的上方。在第二導電層上形成第二絕緣層。于柵極上方的第二絕緣層上形成半導體層。于第二絕緣層上形成第三導電層，第三導電層包括源極、漏極以及第三電極，源極與漏極位于半導體層上，第三電極位于第二電極的上方且與第一電極電性連接，其中柵極、半導體層、源極以及漏極構成薄膜晶體管，且第一電極、第二電極以及第三電極構成電容器。于第三導電層上形成第三絕緣層。于第三絕緣層上形成像素電極，其中像素電極與漏極電性連接。

基于上述，本發明的電容器是由第一電極、第二電極以及第三電極構成，且第一電極位于第二電極下方的第一絕緣層的下。因此本發明可以在不影響像素結構的開口率的前提下提高電容器的儲存電容值，并且可以制作成高解析度的顯示器。另外，因電容器的第一電極、第二電極以及第三電極都不是設置于數據線下方，因此本發明的電容器不增加像素結構的負載。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1I是根據本發明一實施例的像素結構制造流程剖面示意圖。

圖2是依照本發明一實施例的像素結構的上視示意圖，其中剖面線I-I’以及剖面線II-II’即是對應圖1A至圖1I的剖面圖。

圖3是依照本發明一實施例的像素結構的上視示意圖。

圖4是圖3的像素結構沿著剖面線I-I’以及剖面線II-II’的剖面示意圖。

圖5是依照本發明一實施例的像素結構的上視示意圖。

圖6是圖5的像素結構沿著剖面線I-I’以及剖面線II-II’的剖面示意圖。

圖7是根據本發明另一實施例的像素結構的剖面示意圖。

圖8是依照本發明一實施例的像素結構的上視示意圖。

附圖標記說明

100：基板

102：第一絕緣層

104：第二絕緣層

106、110：第三絕緣層

E1：第一電極

E2：第二電極

E3：第三電極

CS：電容器

G：柵極

S：源極

D：漏極

T：薄膜晶體管

SE：半導體層

CH：通道層

OH：歐姆接觸層

PE：像素電極

C1、C2：接觸窗