[發明專利]互連線電阻電容的測量結構和方法

無效

• 申請號: 201110395512.9
• 申請日: 2011-12-03
• 公開（公告）號: CN103134989A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 王磊;魏泰;程玉華
• 申請（專利權）人: 上海北京大學微電子研究院
• 主分類號: G01R27/08
• 分類號: G01R27/08;G01R27/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.?一種互連線測試結構，其特征在于，包括：

多個子測試結構，所述子測試結構包含電阻互連線和電容互連線，且某一個所述電阻互連線連接有獨立使用的測試端口，所述電容互連線連接有獨立使用的測試端口，電阻互連線和電容互連線有平行部分，與同一根電阻互連線相連的測試端口有四個，其他子測試結構電阻互連線通過連接及測量開關并聯到子電阻測試端，各個子測試結構的電容互連線通過連接并聯；各子測試結構位于不相鄰的金屬層。

2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述子測試結構由蜿蜒電阻線和梳狀電容線組成的梳狀蜿蜒結構。

3.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，除了放置所述子測試結構的金屬層，其余金屬層均放置平行板結構；以及所述平行板結構連接有測試端口。

4.如??權利要求3所述測試結構，其特征在于，所述與平行板結構相連的測試端口部分被平行板結構共用；其中

位于最下層所述子測試結構以下的所有金屬層平行板結構共用一個測試端口；

位于兩層所述子測試結構之間的所有金屬層平行板結構共用一個測試端口；

位于最上層所述平行板結構以上的所有金屬層平行板結構共用一個測試端口。

5.一種采用權利要求1~4中任一項權利要求所述的測試結構，測量子測試結構中層內電阻的方法，其特征在于，包括：

基于子測試結構中，閉合開關，電阻互連線獨立使用的測量端口4和5，利用四探針法測量電阻值，所得電阻值即為兩層待測量子測試結構中電阻互連線的并聯電阻值。

6.如權利要求5所述方法，其特征在于，還包括：

基于子測試結構中，斷開開關，再次運用四探針法測量，即得第一層互連線的電阻值。

7.一種采用權利要求1~4中任一項權利要求所述的測試結構，測量子測試結構層內電容的方法，其特征在于，包括：

在兩個待測量子測試結構的電阻互連線測試端口施加第一電壓，電容互連線測試端口施加第二電壓，其中第一電壓與第二電壓的電壓值不相等；

閉合所有開關，測兩層待測子測試結構的電容互連線并聯的層內電容值；

斷開所有開關，測第一層待測子測試結構的電容互連線的層內電容。