[發明專利]記憶胞的檢測方法有效
| 申請號: | 201110395032.2 | 申請日: | 2011-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN103065688A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 蔡子敬;陳逸男;劉獻文 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/08 | 分類號: | G11C29/08 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣龜山*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 記憶 檢測 方法 | ||
1.一種記憶胞的檢測方法,其特征在于,包括:
提供半導體基板,所述半導體基板具有形成于其內的電容以及形成于其上的晶體管,所述晶體管電性連結于所述電容;
通過光學量測系統以檢測所述電容的頂面的尺寸及所述電容與電性連結于所述電容的所述晶體管間的間距,進而得到第一量測值與第二量測值;以及
比較所述第一量測值及所述第二量測值與所述電容與所述晶體管的設計規格,以判定包括所述電容與所述晶體管的記憶胞的功能。
2.根據權利要求1所述的記憶胞的檢測方法,其特征在于所述電容為深溝槽電容。
3.根據權利要求1所述的記憶胞的檢測方法,其特征在于所述電容的所述頂面的所述尺寸為所述電容相對較小的尺寸。
4.根據權利要求1所述的記憶胞的檢測方法,其特征在于所述電容與電性連結于所述電容的所述晶體管間的所述間距為介于所述電容的溝槽的外側邊與電性連結于所述電容的所述晶體管的一側的間距。
5.根據權利要求1所述的記憶胞的檢測方法,其特征在于所述光學量測系統為電子顯微鏡。
6.根據權利要求1所述的記憶胞的檢測方法,其特征在于所述設計規格為形成所述電容與所述晶體管時的微影制程的設計規格。
7.根據權利要求1所述的記憶胞的檢測方法,還包括:
當所述第一量測值與所述第二量測值不符合所述電容與所述晶體管的所述設計規格時,標記包括所述電容與所述晶體管的所述記憶胞為無效記憶胞。
8.根據權利要求1所述的記憶胞的檢測方法,還包括:
當所述第一量測值與所述第二量測值符合所述電容與所述晶體管的所述設計規格時,標記包括所述電容與所述晶體管的所述記憶胞為有效記憶胞。
9.根據權利要求1所述的記憶胞的檢測方法,其特征在于當所述光學量測系統在施行所述檢測時,所述晶體管的閘堆棧物的整個頂面及所述電容的所述頂面的主要部份為露出的,且在其上未形成有額外膜層。
10.根據權利要求1所述的記憶胞的檢測方法,其特征在于所述半導體基板為硅基板。
11.根據權利要求7所述的記憶胞的檢測方法,其特征在于所述第一量測值是由于所述電容的溝槽變形而造成所述不符規格情形。
12.根據權利要求7所述的記憶胞的檢測方法,其特征在于所述第二量測值是由于所述電容與所述晶體管的閘堆棧物間的誤對準情形而造成所述不符規格情形。
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