[發(fā)明專利]記憶胞的檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110395032.2
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN103065688A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡子敬;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的檢測技術(shù)，且特別涉及動態(tài)隨機存取記憶裝置(dynamic?random?access?memory?device，DRAM?device)的一種記憶胞(memory?cell)的檢測方法。

背景技術(shù)

動態(tài)隨機存取記憶裝置(dynamic?random?access?memory?device，DRAM?device)為一種揮發(fā)性記憶裝置。在動態(tài)隨機存取記憶裝置內(nèi)的數(shù)字數(shù)據(jù)的儲存系通過充電與放電此動態(tài)隨機存取記憶裝置內(nèi)的電容(capacitor)而執(zhí)行。而當供應(yīng)至動態(tài)隨機存取記憶裝置的電源關(guān)閉時，儲存于動態(tài)隨機存取記憶裝置內(nèi)的記憶胞內(nèi)的數(shù)據(jù)將完全消失。動態(tài)隨機存取記憶裝置的記憶胞通常包括至少一場效晶體管(field?effect?transistor，F(xiàn)ET)與電容。上述電容用于儲存動態(tài)隨機存取內(nèi)存裝置的記憶胞內(nèi)的訊號。

動態(tài)隨機存取記憶裝置的記憶胞內(nèi)通常存在有漏電流(off-state?currents)問題，因而影響了記憶胞的功能并降低了包括此記憶胞的動態(tài)隨機存取記憶裝置的良率。因此，通常會施行電性量測(electrical?measurements)以檢測動態(tài)隨機存取記憶裝置的記憶胞的多種電性特征(electrical?characteristic)。然而，上述相關(guān)電性量測通常是在形成內(nèi)連接觸物(interconnecting?contacts)與位線(bitlines)后施行，而這些內(nèi)連接觸物與位線是在晶體管與電容制作后才形成，因而并無法實時檢測記憶胞的功能并可能增加相關(guān)制造成本。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，便需要一種記憶胞的檢測方法，以實時檢測如動態(tài)隨機存取記憶裝置的記憶胞。

依據(jù)一實施例，本發(fā)明提供了一種記憶胞的檢測方法，包括：

提供半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體基板具有形成于其內(nèi)的電容以及形成于其上的晶體管，其中該晶體管電性連結(jié)于該電容；通過光學量測系統(tǒng)以檢測該電容的頂面的尺寸及該電容與電性連結(jié)于該電容的該晶體管間的間距，進而得到第一量測值與第二量測值；以及比較該第一量測值及該第二量測值與該電容與該晶體管的設(shè)計規(guī)格，以判定包括該電容與該晶體管的記憶胞的功能。

為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例并配合所附的圖式作詳細說明。

附圖說明

圖1為俯視示意圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實施例的動態(tài)隨機存取記憶裝置內(nèi)的記憶胞數(shù)組的布局情形；

圖2顯示了沿圖1內(nèi)線段2-2的剖面情形；

圖3為流程圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實施例的動態(tài)隨機存取記憶裝置內(nèi)的一種記憶胞的檢測方法；

圖4為俯視示意圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實施例的動態(tài)隨機存取記憶裝置的記憶胞數(shù)組的布局情形；以及

圖5顯示了沿圖4內(nèi)線段5-5的剖面情形。

主要組件符號說明

100～半導(dǎo)體基板；

102～溝槽；

104～N型摻雜多晶硅；

106～N型摻雜區(qū)/埋入板；

108～介電層；

110～埋入N型井區(qū)；

112～P型井區(qū)；

114、116～擴散區(qū)；

118～通道；

120～節(jié)點擴散區(qū)；

122～埋入帶；

124～淺溝槽隔離物；

150～晶體管；

168～絕緣環(huán)；

C～電容；

G～閘堆棧物；

P1、P2～電容的相對較小的寬度；

W1、W2～電容與其電性相連的晶體管間的間距；

S1、S2、S3、S4、S5～步驟。

具體實施方式

圖1為俯視示意圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實施例的動態(tài)隨機存取記憶裝置內(nèi)的記憶胞數(shù)組的布局情形。如圖1所示，在此記憶胞數(shù)組的布局情形包括了規(guī)則地設(shè)置于半導(dǎo)體基板100之內(nèi)與之上的數(shù)個電容(capacitor)C與數(shù)個閘堆棧物(gate?stack)G。這些電容C可為形成于半導(dǎo)體基板100內(nèi)深溝槽電容(deep?trench?capacitor)，而這些閘堆棧物則屬于數(shù)個晶體管150(請參見圖2)的一部分，其形成于半導(dǎo)體基板100的頂面上且部分覆蓋其鄰近的這些電容C的頂面。此時，這些閘堆棧物G的整個頂面以及這些電容C的部分頂面為露出的，在其上并未形成有額外膜層。