[發明專利]晶圓對位方法

有效

• 申請號: 201110394655.8
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN103137531A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 連曉謙;凌耀君
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 臧霽晨;高為

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種晶圓對位方法。

背景技術

半導體組件的制造過程通常可分為晶圓制程、晶圓測試、封裝及最后的測試。晶圓制程是在硅晶圓上制作電子電路組件，制作完成之后，晶圓上形成格狀排列的芯片（die）。晶圓測試步驟針對芯片作電性測試，將不合格的芯片淘汰。之后將晶圓切割成若干個芯片。封裝是將合格的芯片經過包裝等步驟，使芯片成為集成電路。最后要再經過電性測試確保集成電路的質量。

因此，晶圓測試是非常重要且必不可少的一個過程，而在晶圓測試中首先需要準確對位晶圓，然后才可以利用測試模塊來測試晶圓。因此對于本領域技術人員而言，如何對位晶圓成為非常重要的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種晶圓對位方法，對晶圓進行對位。

本發明提供以下技術方案：

1、一種晶圓對位方法，其特征在于，所述晶圓對位方法包括以下步驟：

a根據芯片的大小將晶圓劃分成多個塊；

b初步定位晶圓；

c確定基準塊，其中所述基準塊為所述多個塊中位于晶圓中心的塊；

d在低倍顯微鏡下在基準塊中確定低倍圖形；

e根據低倍圖形來調整晶圓角度從而對位晶圓；

f在高倍顯微鏡下在基準塊中確定高倍圖形；

g根據高倍圖形來調整晶圓角度從而進一步對位晶圓。

2、如技術方案1所述的晶圓對位方法，其特征在于，步驟b包括以下步驟：

確定晶圓邊緣左上角、右上角和右下角三個位置；

根據所述三個位置和缺角來初步定位晶圓。

3、如技術方案1所述的晶圓對位方法，其特征在于，所述低倍圖形為輪廓清晰、黑白分明、在芯片的四分之一范圍內無相同圖形的圖形。

4、如技術方案1所述的晶圓對位方法，其特征在于，所述低倍對位圖形位于測試引腳定位在晶圓的位置之外的位置。

5、如技術方案1所述的晶圓對位方法，其特征在于，在基準塊的上下左右中位置處確定低倍圖形。

6、如技術方案1所述的晶圓對位方法，其特征在于，所述高倍對位圖形為輪廓清晰、黑白分明、在高倍顯微鏡顯示范圍內無相同圖形的圖形。

7、如技術方案1至6之一所述的晶圓對位方法，其特征在于，步驟e包括以下步驟：

e1移動至目標塊之一，所述目標塊為以基準塊為中心的四個塊；

e2在低倍顯微鏡下確定在目標塊中是否存在低倍圖形或近似低倍圖形，其中近似低倍圖形與低倍圖形的不同之處不超過5%；

e3如果有，則不調整晶圓的角度，否則調整晶圓的角度直至確認存在低倍圖形或近似低倍圖形；

e4重復步驟e1至e3，直至測試完所有目標塊。

8、如技術方案1至6之一所述的晶圓對位方法，其特征在于，步驟g包括以下步驟：

g1移動至目標塊之一，所述目標塊為以基準塊為中心的四個塊；

g2在高倍顯微鏡下確定在目標塊中是否存在高倍圖形或近似低倍圖形，其中近似高倍圖形與高倍圖形的不同之處不超過5%；

g3如果有，則不調整晶圓的角度，否則調整晶圓的角度直至確認存在高倍圖形或近似高倍圖形；

g4重復步驟g1至g3，直至測試完所有目標塊。

9、如技術方案1至6之一所述的晶圓對位方法，其特征在于，所述方法還包括定位測試模塊的測試引腳。

10、如技術方案9所述的晶圓對位方法，其特征在于，所述方法還包括核對晶圓對位信息，所述晶圓對位信息包括至少一個以下項：晶圓的邊緣定位、低倍圖形、高倍圖形、測試模塊的定義、晶圓厚度、扎針深度、塊尺寸，其中

核對晶圓對位信息包括根據所述晶圓對位信息再次定位晶圓并返回定位結果。

利用本發明可以較好地定位晶圓。

附圖說明

圖1為根據本發明的實施例的晶圓對位方法的流程圖。

具體實施方式

下面將結合附圖詳細描述本發明的優選實施例，在附圖中相同的參考標號表示相同的元件。

圖1為根據本發明的晶圓對位方法的流程圖。如圖1所示，在步驟100處，根據芯片的大小將晶圓劃分成多個塊，其中每個塊的大小和形狀與芯片的大小和形狀相同。

在步驟101處，初步定位晶圓。具體而言，首先確定晶圓邊緣左上角、右上角和右下角三個位置；然后根據所述三個位置和缺角來初步定位晶圓。

在步驟102處，確定基準塊，其中所述基準塊為所述多個塊中位于晶圓中心的塊。