[發明專利]晶圓對位方法有效
| 申請號: | 201110394655.8 | 申請日: | 2011-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN103137531A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 連曉謙;凌耀君 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/02 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霽晨;高為 |
| 地址: | 214028 無錫市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 對位 方法 | ||
1.一種晶圓對位方法,其特征在于,所述晶圓對位方法包括以下步驟:
a根據芯片的大小將晶圓劃分成多個塊;
b初步定位晶圓;
c確定基準塊,其中所述基準塊為所述多個塊中位于晶圓中心的塊;
d在低倍顯微鏡下在基準塊中確定低倍圖形;
e根據低倍圖形來調整晶圓角度從而對位晶圓;
f在高倍顯微鏡下在基準塊中確定高倍圖形;
g根據高倍圖形來調整晶圓角度從而進一步對位晶圓。
2.如權利要求1所述的晶圓對位方法,其特征在于,步驟b包括以下步驟:
確定晶圓邊緣左上角、右上角和右下角三個位置;
根據所述三個位置和缺角來初步定位晶圓。
3.如權利要求1所述的晶圓對位方法,其特征在于,所述低倍圖形為輪廓清晰、黑白分明、在芯片的四分之一范圍內無相同圖形的圖形。
4.如權利要求1所述的晶圓對位方法,其特征在于,所述低倍對位圖形位于測試引腳定位在晶圓的位置之外的位置。
5.如權利要求1所述的晶圓對位方法,其特征在于,在基準塊的上下左右中位置處確定低倍圖形。
6.如權利要求1所述的晶圓對位方法,其特征在于,所述高倍對位圖形為輪廓清晰、黑白分明、在高倍顯微鏡顯示范圍內無相同圖形的圖形。
7.如權利要求1至6之一所述的晶圓對位方法,其特征在于,步驟e包括以下步驟:
e1移動至目標塊之一,所述目標塊為以基準塊為中心的四個塊;
e2在低倍顯微鏡下確定在目標塊中是否存在低倍圖形或近似低倍圖形,其中近似低倍圖形與低倍圖形的不同之處不超過5%;
e3如果有,則不調整晶圓的角度,否則調整晶圓的角度直至確認存在低倍圖形或近似低倍圖形;
e4重復步驟e1至e3,直至測試完所有目標塊。
8.如權利要求1至6之一所述的晶圓對位方法,其特征在于,步驟g包括以下步驟:
g1移動至目標塊之一,所述目標塊為以基準塊為中心的四個塊;
g2在高倍顯微鏡下確定在目標塊中是否存在高倍圖形或近似低倍圖形,其中近似高倍圖形與高倍圖形的不同之處不超過5%;
g3如果有,則不調整晶圓的角度,否則調整晶圓的角度直至確認存在高倍圖形或近似高倍圖形;
g4重復步驟g1至g3,直至測試完所有目標塊。
9.如權利要求1至6之一所述的晶圓對位方法,其特征在于,所述方法還包括定位測試模塊的測試引腳。
10.如權利要求9所述的晶圓對位方法,其特征在于,所述方法還包括核對晶圓對位信息,所述晶圓對位信息包括至少一個以下項:晶圓的邊緣定位、低倍圖形、高倍圖形、測試模塊的定義、晶圓厚度、扎針深度、塊尺寸,其中
核對晶圓對位信息包括根據所述晶圓對位信息再次定位晶圓并返回定位結果。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





