[發明專利]ALD制備GaAs基MOS器件中的原位表面鈍化方法

無效

• 申請號: 201110394348.X
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN102492932A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 李學飛;李愛東;曹燕強;吳迪
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/44;H01L21/02;H01L21/285;H01L21/336
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 賀翔

1.一種ALD制備GaAs基MOS器件中的原位表面鈍化方法，其特征在于包括以下步驟：

1）首先清洗GaAs襯底，

2）之后將GaAs襯底在HCl水溶液中浸泡3~5?分鐘，

3）接著在15-25%重量比的?(NH₄)₂S水溶液中浸泡10~40分鐘，

4）用氮氣吹干GaAs襯底并移入原子層沉積反應室，

5）在原位用金屬脈沖清洗GaAs襯底。

2.根據權利要求1所述的ALD制備GaAs基MOS器件中的原位表面鈍化方法，其特征在于，步驟1）的過程為：依次用丙酮、乙醇、異丙醇超聲清洗GaAs襯底3~10?分鐘。

3.根據權利要求1或2所述的ALD制備GaAs基MOS器件中的原位表面鈍化方法，其特征在于，步驟2）中HCl水溶液的重量比是HCl：H₂O=1:10。

4.根據權利要求1或2所述的ALD制備GaAs基MOS器件中的原位表面鈍化方法，其特征在于，步驟5）的過程為：在250－300℃工作溫度下，向原子層沉積反應室先通入金屬源TMA?脈沖0.1s,?接著通入金屬TDMAH脈沖0.1s；如此循環10-30次。