[發明專利]對準標記的曝光方法及系統

無效

• 申請號: 201110393835.4
• 申請日: 2011-12-01
• 公開（公告）號: CN103135337A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 鄭志強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/20;H01L23/544
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，具體涉及一種對準標記的曝光方法及系統。

背景技術

在硅片的制造（Wafer?Fabrication）的過程中，通過淀積、氧化等工藝在硅片上形成多種層結構，例如，在STI（Shallow?Trench?Isolation，淺槽隔離）工藝中，等離子體以很高的速度濺射至硅片表面形成氮化硅層，在淀積氮化硅層后，由于對準標記受到遮蓋等原因，就可能出現對準標記（ZERO?mark）不再清楚的現象。而對準標記在整個硅片制造過程中起到非常重要的作用，是保障各項制造工藝順利進行的基準。

在現有技術中，經常使用KV層工藝的方法解決這種問題，KV?的全稱為?overlay?mark?clear?out?layer,是指通過傳統的光刻與蝕刻的工藝來使淀積后的對準標記重新變清楚。在現有技術中，需要使用專門的曝光設備，例如掃描曝光設備，通過掃描曝光的方式，對硅片上對準標記的位置進行曝光顯影，通過曝光顯影可以使得對準標記重新變得清晰，從而就有利于后階段制程的定位找準。對于現有技術來說，使用掃描曝光設備進行對準標記曝光的方法的優點在于其曝光的精確度，可以實現對對準標記所處位置的精確曝光。

在實現上述對準標記的曝光方法過程中，發明人發現現有技術中至少存在如下問題：

由于現有的對準標記的曝光方法對于對準標記的曝光需要掃描曝光設備進行對準標記的曝光，并在曝光的同時需要使用掩膜版，這樣，就會影響到掃描曝光設備的使用壽命，并增加對掩膜版的使用頻率。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供一種對準標記的曝光方法及曝光系統，采用硅片邊緣曝光裝置（wafer?edge?exposure，簡稱WEE）進行對準標記的曝光，提高了掃描曝光設備的使用壽命，并減少了對掩膜版的使用頻率。

為達到上述目的，本發明采用如下技術方案：

一種對準標記的曝光方法，包括：

步驟s1，在硅片上涂光刻膠；

步驟s2，在硅片邊緣曝光裝置中對所述硅片上的對準標記所處位置的光刻膠進行曝光；

步驟s3，將經過曝光后的所述硅片進行顯影；

步驟s4，將經過顯影后的所述硅片進行蝕刻。

優選的，在所述步驟s2之前或之后，還包括步驟s5，對所述硅片的外側邊緣進行曝光。

優選的，在所述步驟s1之前，對所述硅片進行烘烤處理。

優選的，在所述步驟s2之后，對所述硅片進行烘烤處理。

優選的，所述對準標記的曝光方法中的各步驟在自動軌道系統上連續進行。

優選的，所述步驟s2中的曝光時間為15-25s。

優選的，所述步驟s2中的曝光強度為1000毫瓦/立方厘米。?

一種對準標記的曝光系統，包括：

涂膠設備，用于在硅片上涂光刻膠；

硅片邊緣曝光裝置，用于對所述硅片上的對準標記所處位置的光刻膠進行曝光；

顯影設備，用于將經過曝光后的所述硅片進行顯影；

蝕刻設備，用于將經過顯影后的所述硅片進行蝕刻。

優選的，所述硅片邊緣曝光裝置，還用于對所述硅片的外側邊緣進行曝光。

優選的，所述涂膠設備、所述硅片邊緣曝光裝置、所述顯影設備、所述蝕刻設備，均位于同一個自動軌道系統中。

本發明提供的一種對準標記的曝光方法及系統，盡管WEE的曝光方式不如掃描曝光的方式精確，但是對于硅片上的對準標記來說，WEE的曝光方式的效果已經足以滿足對準標記的曝光要求，并且，WEE的曝光方式的處理時間也少于掃描曝光方式的處理時間，這就提高了產品的生產效率。采用硅片邊緣曝光裝置進行對準標記的曝光，提高了掃描曝光設備的使用壽命，并減少了掩膜版的使用頻率。?

附圖說明

本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述，用來解釋本發明的原理。

附圖中：

圖1為本發明實施例中對準標記的曝光方法的流程示意圖；?

圖2為WEE裝置的結構示意圖；

圖3為采用硅片邊緣曝光裝置進行硅片外側邊緣曝光的位置示意圖；

圖4為?本發明實施例采用采用硅片邊緣曝光裝置進行對準標記曝光的位置示意圖；

圖5為本發明實施例中對準標記的曝光方法的流程示意圖；

圖6為現有技術中采用掃描曝光設備進行曝光后的對準標記的效果圖片；

圖7為本發明實施例中采用WEE裝置進行曝光后的對準標記的效果圖片。