[發明專利]對準標記的曝光方法及系統

無效

• 申請號: 201110393835.4
• 申請日: 2011-12-01
• 公開（公告）號: CN103135337A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 鄭志強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/20;H01L23/544
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種對準標記的曝光方法，包括：

步驟s1，在硅片上涂光刻膠；

步驟s2，在硅片邊緣曝光裝置中對所述硅片上的對準標記所處位置的光刻膠進行曝光；

步驟s3，將經過曝光后的所述硅片進行顯影；

步驟s4，將經過顯影后的所述硅片進行蝕刻。

2.根據權利要求1所述對準標記的曝光方法，其特征在于，

在所述步驟s2之前或之后，還包括步驟s5，對所述硅片的外側邊緣進行曝光。

3.根據權利要求1或2所述對準標記的曝光方法，其特征在于，

在所述步驟s1之前，對所述硅片進行烘烤處理。

4.根據權利要求1或2所述的對準標記的曝光方法，其特征在于，

在所述步驟s3之前，對所述硅片進行烘烤處理。

5.根據權利要求1或2所述的對準標記的曝光方法，其特征在于，所述對準標記的曝光方法中的各步驟在自動軌道系統上連續進行。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述步驟s2中的曝光時間為15-25s。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述步驟s2中的曝光強度為1000毫瓦/立方厘米。

8.一種對準標記的曝光系統，其特征在于，包括：

涂膠設備，用于在硅片上涂光刻膠；

硅片邊緣曝光裝置，用于對所述硅片上的對準標記所處位置的光刻膠進行曝光；

顯影設備，用于將經過曝光后的所述硅片進行顯影；

蝕刻設備，用于將經過顯影后的所述硅片進行蝕刻。

9.根據權利要求8所述的對準標記的曝光系統，其特征在于，

所述硅片邊緣曝光裝置，還用于對所述硅片的外側邊緣進行曝光。

10.根據權利要求8或9所述的對準標記的曝光系統，其特征在于，

所述涂膠設備、所述硅片邊緣曝光裝置、所述顯影設備、所述蝕刻設備，均位于同一個自動軌道系統中。