[發(fā)明專利]薄膜晶體管形成用基板、半導(dǎo)體裝置、電裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110393718.8 | 申請日: | 2011-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN102486907A | 公開(公告)日: | 2012-06-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 佐藤尚 | 申請(專利權(quán))人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | G09F9/30 | 分類號: | G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 周春燕;陳海紅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 形成 用基板 半導(dǎo)體 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及薄膜晶體管形成用基板、半導(dǎo)體裝置、電裝置。
背景技術(shù)
近年來,液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置、電泳顯示裝置等平板顯示器(FPD)的一般的結(jié)構(gòu),通過在由剛性玻璃基板構(gòu)成的元件基板上形成TFT的有源矩陣并在該元件基板與對置基板之間夾持電光元件(功能元件)而構(gòu)成。在這樣的FPD中,存在重量、柔軟性等問題。
作為在元件基板上形成TFT元件的方法,使用如現(xiàn)有文獻1所記載,在玻璃基板上依次形成柵電極、半導(dǎo)體層、漏電極、源電極等的方法。然而,隨著TFT元件的微細化進展,在使用這樣的方法形成TFT元件的情況下,在TFT元件的多層布線間產(chǎn)生的寄生電容(靜電電容)會變大,功耗會增大。
另外,一般地,在使用印刷法進行TFT元件的圖案形成時其分辨率為L/S=20/20μm左右,與光蝕刻時的分辯率L/S=3/3μm大不相同。彩色打印機的分辨率是300dpi,1像素的大小相當于84μm。因此,實現(xiàn)上述印刷法中的圖案形成時的分辨率是困難的。
此外,與上述分辨率的問題也有關(guān)系,但是即使由于分辨率低所以能夠形成TFT元件,也無法確保除其以外直至作成保持電容為止的空間。即使假設(shè)能夠確保空間,也僅能夠形成小的保持電容。因此,在電泳顯示裝置的情況下會產(chǎn)生改寫圖像的時間增加、功耗增大的問題,在液晶裝置的情況下會產(chǎn)生閃爍增強、圖像殘留增大的問題。
進而,在高精密顯示中,由于TFT元件的寄生電容變大,布線間的電阻也變高,所以時間常數(shù)增加。因此,存在圖像的改寫速度和/或?qū)Ρ榷鹊慕档汀㈤W爍增強等問題。若在A4尺寸的基板上以300dpi的分辨率形成TFT元件,則大致為3000×220萬像素,占空比為1/3000,成為一般的高清晰度電視的3倍左右的像素數(shù)。
在專利文獻2中,記載有在多層基板上形成TFT元件且使用多層基板中的布線形成TFT元件的電子設(shè)備的制造方法。另外,還公開有將這樣的電子設(shè)備形成為顯示裝置的背板。
在專利文獻3中,記載有下述結(jié)構(gòu):在電路基板的與電泳分散液層側(cè)相反側(cè)的背面配置有薄膜晶體管,隔著電路基板設(shè)置電泳分散液層和薄膜晶體管,由此防止晶體管的化學(xué)劣化。
【專利文獻1】特開2010-135584號公報
【專利文獻2】特表2010-506400號公報
【專利文獻3】特開2004-004714號公報
然而,在專利文獻2中,由于以完全單獨的工序形成多層基板和由在該多層基板上形成的TFT元件等構(gòu)成的薄膜部件形成層,所以工序數(shù)多且制造變得繁瑣。另外,為了使TFT元件具有開關(guān)功能和/或顯示圖像驅(qū)動功能,需要形成保持電容。因此,除了需要在TFT層形成保持電容的工序以外,還需要用于形成保持電容的空間,高精細化變得困難。進而,一般由于多層基板由不透明基板構(gòu)成所以難以進行修復(fù),導(dǎo)致成品率的下降等,產(chǎn)生各種問題。
另外,在專利文獻3中,由于薄膜晶體管在電路基板的背面構(gòu)成,所以容易被濕度等侵蝕而有可能產(chǎn)生故障。另外,有在電光裝置的制造時容易出現(xiàn)損傷等問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題而實現(xiàn)的,其目的之一在于提供通過使TFT元件的構(gòu)成要素之中的至少一個內(nèi)置于多層基板內(nèi)而能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜晶體管的高精細化的薄膜晶體管形成用基板、半導(dǎo)體裝置、電裝置。
本發(fā)明的薄膜晶體管形成用基板,在基板主體的厚度方向的任一個最表面具有薄膜晶體管的構(gòu)成要素即源電極、漏電極、柵電極的至少一個或具有第1電極;在前述基板主體的內(nèi)部埋入有連接于前述源電極、前述漏電極、前述柵電極以及前述第1電極的任一個的埋入布線。
據(jù)此,由于設(shè)置于基板主體的表面的薄膜晶體管的構(gòu)成要素的至少一部分所連接的埋入布線埋入于基板主體的內(nèi)部,所以能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜晶體管的高精細化。
此外,也可以設(shè)定為下述構(gòu)成:前述埋入布線是掃描線、數(shù)據(jù)線、保持電容線、保持電容、信號線以及電源線中的任一種。
據(jù)此,通過將伴隨著薄膜晶體管的高精細化而增加的布線埋入基板主體的內(nèi)部,能夠分別充分地確保薄膜晶體管以及埋入布線的形成空間。因而,能夠消除基板上的布線形成空間的問題并且可以實現(xiàn)薄膜晶體管的高精細化。
此外,也可以設(shè)定為下述構(gòu)成:前述基板主體包括層疊多個基材而成的基板;前述埋入布線埋入到前述多個基材的任一個前述基材內(nèi),或多條前述埋入布線埋入到分別不同的前述基材內(nèi)。
據(jù)此,通過將基板設(shè)定為多個基材層疊而成的多層基板構(gòu)造,能夠?qū)β袢氩季€的數(shù)量沒有限制地確保它們的形成空間,并且可以良好地保持多條埋入布線。
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