[發明專利]薄膜晶體管形成用基板、半導體裝置、電裝置

無效

• 申請號: 201110393718.8
• 申請日: 2011-12-01
• 公開（公告）號: CN102486907A
• 公開（公告）日: 2012-06-06
• 發明（設計）人: 佐藤尚
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 周春燕;陳海紅

1.一種薄膜晶體管形成用基板，其特征在于：

在基板主體的厚度方向的任一個面具有薄膜晶體管的構成要素即源電極、漏電極、柵電極的至少一個或具有第1電極；

在前述基板主體的內部埋入有連接于前述源電極、前述漏電極、前述柵電極以及前述第1電極的任一個的埋入布線。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管形成用基板，其特征在于：

前述埋入布線是掃描線、數據線、保持電容線、保持電容、信號線以及電源線中的任一種。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管形成用基板，其特征在于：

前述基板主體包括層疊多個基材而成的基板；

前述埋入布線埋入到前述多個基材的任一個前述基材內，或多條前述埋入布線埋入到分別不同的前述基材內。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的薄膜晶體管形成用基板，其特征在于：

前述基板主體具有柔性或伸縮性。

5.根據權利要求1～4中的任一項所述的薄膜晶體管形成用基板，其特征在于：

在前述基板主體的內部埋入有電子部件。

6.根據權利要求1～5中的任一項所述的薄膜晶體管形成用基板，其特征在于：

多個前述電子部件彼此的配置間隔，為各電子部件的1邊長度的1倍以上，優選為前述1邊長度的3倍以上。

7.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管形成用基板，其特征在于：

前述電子部件至少包含IC、電容器、電阻、感應器的一種以上而構成。

8.根據權利要求1～7中的任一項所述的薄膜晶體管形成用基板，其特征在于：

前述源電極、前述漏電極以及前述柵電極的任一個或前述第1電極的至少一部分埋入前述基板主體的內部而連接于前述埋入布線。

9.根據權利要求2～8中的任一項所述的薄膜晶體管形成用基板，其特征在于：

前述埋入布線的線寬，設定為比配置于前述埋入布線彼此之間的絕緣部件的厚度的各尺寸小的尺寸。

10.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

基板，其包括權利要求1～9中的任一項所述的薄膜晶體管形成用基板；

薄膜晶體管，其包含在前述基板上形成的前述薄膜晶體管的構成要素的一部分而構成，具有半導體層、柵電極、漏電極以及源電極；

前述第1電極，其連接于前述漏電極；以及

埋入布線，其埋入前述基板內而連接于前述薄膜晶體管。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于：

前述源電極以及前述漏電極與前述第1電極在同一層形成。

12.根據權利要求10或11所述的半導體裝置，其特征在于：

在前述薄膜晶體管中，成為半導體層、前述源電極以及前述漏電極的至少一部分通過一對前述柵電極挾入的雙柵構造。

13.一種電裝置，其特征在于，具備：

元件基板，其包括權利要求10～12所述的半導體裝置；

對置基板，其與前述元件基板相對配置；以及

功能元件，其配置于前述元件基板與前述對置基板之間；

其中，前述對置基板在前述功能元件側具有對置電極；

前述元件基板在前述功能元件側的面具有多個第1電極；

對于前述多個第1電極，在與前述對置電極之間由前述電子部件供給用于驅動前述功能元件的電壓。

14.根據權利要求13所述的電裝置，其特征在于：

前述元件基板以及前述對置基板具有柔性。

15.根據權利要求13所述的電裝置，其特征在于：

前述元件基板以及對置基板具有伸縮性。

16.根據權利要求13～15中的任一項所述的電裝置，其特征在于：

前述功能元件是具有排列多個像素而成的顯示部的顯示元件。

17.根據權利要求13～16中的任一項所述的電裝置，其特征在于：

具有遍及多個前述像素形成的一對電極和在前述一對電極間隔著絕緣部件配置的保持電容線，

在前述一對電極與前述保持電容線之間分別形成有保持電容。