[發明專利]用于執行老化測試的方法有效
| 申請號: | 201110392791.3 | 申請日: | 2011-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN102565570A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 島澤幸司;金子正明;本田隆;麥野遙一;西岡義人;野間亞樹 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社;羅姆股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00;G11B5/127 |
| 代理公司: | 北京北翔知識產權代理有限公司 11285 | 代理人: | 楊勇;鄭建暉 |
| 地址: | 日本東京都中*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 執行 老化 測試 方法 | ||
1.一種用于對受驗對象執行老化測試的方法,在所述受驗對象中多個電極被設置在不同高度的位置處,該方法包括如下步驟:
制備一個受驗對象,其中在所述多個電極中,處于較高位置的電極具有較高的表面粗糙度;
使得多個片式探針分別與所述多個電極接觸;以及
通過所述多個片式探針向所述多個電極供應電流。
2.根據權利要求1所述的用于執行老化測試的方法,其中所述受驗對象包括設置在晶片或條上的多個單元,每一所述單元包括:具有預定高度的一個元件,以及電連接至該元件的下表面的下部電極,以及以如下方式制備所述受驗對象,使得該元件的上表面上的上部電極的表面粗糙度高于所述下部電極的表面粗糙度。
3.根據權利要求2所述的用于執行老化測試的方法,其中通過將所述元件的襯底的表面研磨成預定的表面粗糙度來制備所述受驗對象,所述表面在待要形成上部電極的一側,然后在所述表面上形成所述上部電極,從而為所述上部電極的一個表面提供預定的表面粗糙度。
4.一種用于在待被分割成芯片的單元條上執行老化測試的方法,每一所述芯片被配置為用作熱輔助磁記錄的光源單元,所述光源單元包括設置在單元襯底中的激光二極管,該方法包括如下步驟:
以如下方式制備一個單元條,使得所述激光二極管的上表面上的上部電極的表面粗糙度高于電連接至該激光二極管的下表面的下部電極的表面粗糙度;
將用于所述上部電極的片式探針和用于所述下部電極的片式探針分別與所述上部電極和所述下部電極接觸;以及
通過用于所述上部電極的片式探針和所述上部電極,以及通過用于所述下部電極的片式探針和所述下部電極,將電流供應至所述激光二極管。
5.根據權利要求4所述的用于執行老化測試的方法,其中以如下方式制備所述單元條,使得所述激光二極管的高度為大于等于40微米,且小于等于100微米。
6.根據權利要求4所述的用于執行老化測試的方法,其中以如下方式制備所述單元條,使得所述上部電極的表面粗糙度Ra大于等于0.5微米、以及小于等于10微米,以及所述下部電極的表面粗糙度Ra大于等于0.005微米、以及小于等于0.5微米。
7.根據權利要求4所述的用于執行老化測試的方法,其中通過將所述激光二極管的襯底的表面研磨成預定的表面粗糙度來制備所述單元條,所述表面在待要形成所述上部電極的一側,然后在該表面上形成所述上部電極,從而為所述上部電極的一個表面提供預定的表面粗糙度。
8.根據權利要求4所述的用于執行老化測試的方法,其中用于所述上部電極和所述下部電極的片式探針包括:基底元件;絕緣層,在所述基底元件上形成;以及,導電層,在所述絕緣層上形成,并且所述導電層在所述導電層接觸所述下部電極或所述上部電極的一側從所述基底元件突出。
9.根據權利要求8所述的用于執行老化測試的方法,其中所述導電層在所述導電層接觸所述下部電極或所述上部電極的一側的至少一部分覆蓋有金或金合金。
10.根據權利要求4所述的用于執行老化測試的方法,其中為所述激光二極管供應電流,然后測量用于從所述激光二極管獲得預定光輸出所要求的供應至所述激光二極管的電流隨時間的變化。
11.一種測試裝置,被配置為實施根據權利要求4所述的用于執行老化測試的方法,所述測試裝置包括:
保持夾具,用于保持所述單元條;
片式探針組,包括用于上部電極的片式探針和用于下部電極的片式探針,一個用于所述上部電極的片式探針和一個用于所述下部電極的片式探針交替布置,所述上部電極被設置在所述激光二極管上,并且所述上部電極的表面粗糙度高于所述下部電極的表面粗糙度;
光電探測器,被所述保持夾具保持,所述光電探測器接收所述激光二極管所發出的激光并且測量所述激光二極管的光輸出,所述激光二極管通過所述片式探針組被供應電流;以及
控制器,接收來自所述光電探測器的測量輸出,并且控制和測量供應至所述激光二極管的電流。
12.根據權利要求11所述的測試裝置,其中激光二極管的高度大于等于40微米,以及小于等于100微米。
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