[發明專利]一種新型肖特基倒封裝芯片及制造工藝

有效

• 申請號: 201110392125.X
• 申請日: 2011-12-01
• 公開（公告）號: CN102437177A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 王興龍;李述州
• 申請（專利權）人: 重慶平偉實業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L29/872;H01L21/329
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• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種肖特基倒封裝芯片及制造工藝，尤其涉及一種正負極位于同一側面且負極內凹的新型肖特基倒封裝芯片及制造工藝。

背景技術

肖特基倒封裝芯片是采用倒封裝技術生產的肖特基芯片，目前芯片的倒封裝采用錫球技術，這種技術取代了傳統的插腳封裝、導線架封裝的形式，從而在錫球方面起到了電氣互連及機械支撐的重要作用，是一種比較理想的封裝技術。

目前采用錫球技術加工的肖特基芯片，其結構為在硅片的表面設置凸起的錫球作為芯片的正極和負極。這種結構一方面因為設置凸起的連接端而使產品的厚度增大，在現代社會對電子產品的體積要去越來越小的情況下其適應性越來越差；另一方面正極和負極之間距離不遠且未進行隔離處理，所以其輸出端的正、負極之間的隔離效果不是很好，在某些高要求的電路中使用時，會因為其正、負極之間的隔離性不高而無法滿足使用要求。

發明內容

本發明的目的就在于為了解決上述問題而提供一種正負極位于同一側面且負極內凹的新型肖特基倒封裝芯片及制造工藝。

為了達到上述目的，本發明采用了以下技術方案：

本發明中的新型肖特基倒封裝芯片包括封裝體、芯片正極、芯片負極、硅片、硅片正極和硅片負極，所述硅片正極和所述芯片正極連接，所述硅片負極和所述芯片負極連接；所述硅片正極和所述硅片負極位于所述硅片的同一側面；所述硅片正極位于所述硅片的表面上，所述硅片正極的旁邊設置有凹槽，所述硅片負極位于所述凹槽內。

將硅片正極和硅片負極設置于硅片的同一側面，使整個芯片的厚度大大降低；而凹槽的設置則保證了硅片正極和硅片負極之間的隔離性能完全滿足其使用要求。

進一步，所述硅片正極與所述凹槽之間設置有隔離溝槽。隔離溝槽使硅片正極和硅片負極之間的隔離性能更好。

具體地，所述凹槽的深度為15—20微米。

進一步，所述硅片正極的表面和所述硅片負極的表面均設置有焊錫層，所述硅片正極通過所述焊錫層與所述芯片正極連接，所述硅片負極表面的焊錫層通過導線與所述芯片負極連接。芯片正極和芯片負極均位于封裝體的表面。

本發明中的新型肖特基倒封裝芯片的制造工藝，包括以下步驟：

（1）?提供一原始外延硅片；

（2）?對原始外延硅片進行氧化，形成氧化層；

（3）?一次光刻，形成一次正極溝槽和一次隔離溝槽；

（4）?P環擴散；

（5）?二次光刻溝槽，形成一次負極溝槽；

（6）?一次腐蝕，形成正極溝槽雛形、隔離溝槽雛形和負極溝槽雛形；

（7）?三次光刻，形成帶角正極溝槽、帶角隔離溝槽和帶角負極溝槽；

（8）?二次腐蝕，形成光滑正極溝槽、光滑隔離溝槽和光滑負極溝槽；

（9）?在光滑正極溝槽和光滑負極溝槽分別濺射金屬Pt、Ni；

（10）??????????????蒸發接觸金屬Ti、Ni、Ag，形成硅片正極和硅片負極；

（11）??????????????焊錫，連接硅片正極和芯片正極，連接硅片負極和芯片負極，封裝，得成品。

具體地，所述步驟（1）中原始外延硅片的外延層厚度為5—10微米；所述步驟（2）中氧化層的厚度為5000埃；所述步驟（9）中環境溫度為450℃，氮氣與氫氣的質量百分比分別為90%與10%；所述步驟（6）和所述步驟（8）中，所述腐蝕所用的腐蝕液的組份為：HF、HAC、HNO₃；所述腐蝕液的各組份的質量配比為：HF:HAC:HNO₃=1:1:15-25。

本發明的有益效果在于：

由于本發明將硅片正極和硅片負極設置于硅片的同一側面，使整個產品的厚度大大降低；由于將硅片負極設置于凹槽內，不但使整個產品的厚度進一步降低，而且使硅片正極和硅片負極之間的隔離性能更好，完全滿足各種電路對正、負極之間隔離性能的高要求；通過在硅片正極和硅片負極之間設置隔離溝槽，使硅片正極和硅片負極之間的隔離性能進一步提高。本發明的制造工藝可實現精度為±0.15微米的光滑溝槽，完全滿足肖特基芯片的高精度要求，并使硅的表面積擴大約20%以上，所以同樣的芯片面積，采用本發明的制造工藝可使產品工作效率提高接近20%。

附圖說明

圖1是本發明中肖特基倒封裝芯片的主視結構示意圖；

圖2是本發明中肖特基倒封裝芯片的硅片的主視結構示意圖；

圖3是本發明中肖特基倒封裝芯片的硅片的仰視結構示意圖；